Paletas de SiC

Las paletas de SiC de Semicorex son los "portadores" de las obleas y las llevan a hornos a más de 1.000 grados Celsius. Este es su beneficio clave: alta pureza, estabilidad a alta temperatura, para mantener la rigidez mecánica al transportar la muestra en ambientes extremos. Los materiales de alta pureza son eficaces para evitar que las impurezas metálicas contaminen la oblea; también lo hace la estabilidad a altas temperaturas decarburo de silicio, ya que mantendrá la estabilidad química a temperaturas de procesamiento que impidan la desgasificación de impurezas metálicas o partículas que contaminen la oblea, asegurando un rendimiento estable de la oblea. Por último,paletas voladizasTambién son compatibles con sistemas integrados de transferencia de obleas, lo que disminuye aún más la dependencia de los humanos y aumenta el rendimiento.

Las paletas de SiC son un componente único del transportador, específicamente para el transporte y la integración de obleas semiconductoras en una carga de trabajo por lotes en procesos como oxidación y difusión a alta temperatura, entre otros. Elaborado con alta purezacarburo de silicio (SiC), las paletas de SiC proporcionan estabilidad térmica, resistencia mecánica y durabilidad química para garantizar un transporte estable por encima de temperaturas de 1000 °C. Las paletas de SiC son necesarias para el procesamiento de obleas: garantizarán que los sustratos frágiles puedan manipularse adecuadamente manteniendo la integridad y la consistencia durante todo el proceso de oxidación, difusión y recocido.

Diseñadas para ser robustas y confiables, las paletas de SiC son brazos tipo voladizo que sostienen botes de obleas o pilas de obleas. La paleta sostiene las obleas mientras se insertan o retiran de la cámara de proceso. Los materiales convencionales fallan a estas altas temperaturas por deformación, deformación o degradación química. La estabilidad mecánica y la integridad estructural del carburo de silicio permiten que la paleta sobreviva múltiples ciclos térmicos sin pérdida de forma o función. Esta capacidad es importante para mantener la alineación del horno, garantizar que las obleas no se dañen durante el proceso y minimizar el costoso tiempo de inactividad.

La estabilidad térmica de las paletas de SiC se complementa con su excelente resistencia química a los gases reactivos que generalmente aparecen en los procesos de oxidación y difusión (por ejemplo, oxígeno, cloro y otras especies agresivas a alta temperatura). Muchos materiales se destruirán o contaminarán cuando se expongan tanto a altas temperaturas como al oxígeno. El carburo de silicio es químicamente inerte y su microestructura densa garantiza que no se produzcan reacciones químicas, lo que proporciona integridad estructural de la paleta y un entorno limpio para la oblea. El riesgo de contaminación resultante se mantiene al mínimo para los fabricantes de semiconductores que operan en algunos de los nodos de proceso más avanzados, en los que incluso los elementos traza de contaminantes pueden inducir cambios significativos en el rendimiento del dispositivo.

La integridad mecánica asociada con las paletas de SiC también proporciona valor en los procesos de manipulación. La forma estructural en voladizo requiere un material que pueda soportar el peso de las pilas de capas y que no se doble ni se doble. El módulo muy alto y la dureza muy alta del carburo de silicio lo convierten en una buena consideración para la función estructural mecánica que se requiere. La paleta de SiC conserva la planitud y la estructura incluso cargada con obleas. Esto significa un control constante del horno y de sus condiciones durante largos periodos de producción.