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Polvo de carburo de silicio tipo N

Polvo de carburo de silicio tipo N

El polvo de carburo de silicio (SiC) tipo N de Semicorex es un material de SiC dopado de alta pureza diseñado específicamente para aplicaciones avanzadas de crecimiento de cristales. Semicorex se compromete a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El polvo de carburo de silicio (SiC) tipo N de Semicorex es un material de SiC dopado de alta pureza diseñado específicamente para aplicaciones avanzadas de crecimiento de cristales. Este polvo de carburo de silicio tipo N se caracteriza por sus propiedades eléctricas e integridad estructural superiores, lo que lo convierte en una opción ideal para la producción de cristales de carburo de silicio utilizados en diversos dispositivos semiconductores de alto rendimiento.

El polvo de carburo de silicio tipo N está dopado con nitrógeno (N), que introduce electrones libres adicionales en la red cristalina de SiC, mejorando su conductividad eléctrica. Este dopaje de tipo N es crucial para aplicaciones que requieren propiedades electrónicas precisas. El polvo de Carburo de Silicio tipo N se somete a rigurosos procesos de purificación para lograr un alto nivel de pureza, minimizando la presencia de impurezas que podrían afectar el proceso de crecimiento de los cristales y el rendimiento del producto final.

El polvo de carburo de silicio tipo N de Semicorex consta de partículas finas de tamaño uniforme que promueven el crecimiento uniforme de los cristales y mejoran la calidad general de los cristales de carburo de silicio.

Este polvo de carburo de silicio tipo N, utilizado principalmente en el crecimiento de cristales de carburo de silicio, es fundamental en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta potencia, sensores de alta temperatura y diversos componentes optoelectrónicos. También es adecuado para su uso en investigación y desarrollo dentro de la industria de semiconductores.


Características

Modelo Pureza Densidad de embalaje D10 D50 D90
SiC-N-S >6N <1,7 g/cm3 100 μm 300 μm 500 μm
SiC-N-M >6N <1,3g/cm3 500 μm 1000 μm 2000 μm
SiC-N-L >6N <1,3g/cm3 1000 μm 1500 μm 2500 μm



Aplicaciones:

Crecimiento de cristales de carburo de silicio: se utiliza como material de partida para cultivar cristales de SiC de alta calidad.

Dispositivos semiconductores: Ideal para componentes electrónicos de alta potencia y alta frecuencia.

Electrónica de alta temperatura: adecuada para aplicaciones que exigen un rendimiento sólido en condiciones extremas.

Optoelectrónica: Se utiliza en dispositivos que requieren propiedades térmicas y eléctricas excepcionales.







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