Pulido de superficies de obleas de silicio

oblea de silicioEl pulido de superficies es un proceso crucial en la fabricación de semiconductores. Su objetivo principal es lograr estándares extremadamente altos de planitud y rugosidad de la superficie mediante la eliminación de microdefectos, capas de daños por tensión y contaminación de impurezas como iones metálicos. Esto asegura que elobleas de siliciocumplir con los requisitos de preparación para dispositivos microelectrónicos, incluidos los circuitos integrados (CI).

Para garantizar la precisión del pulido, eloblea de silicioEl proceso de pulido se puede organizar en dos, tres o incluso cuatro pasos distintos. Cada paso emplea diferentes condiciones de procesamiento, incluida la presión, la composición del líquido de pulido, el tamaño de las partículas, la concentración, el valor de pH, el material del paño de pulido, la estructura, la dureza, la temperatura y el volumen de procesamiento.

Las etapas generales deoblea de silicioEl pulido es el siguiente:

1. **Pulido rugoso**: Esta etapa tiene como objetivo eliminar la capa de daño por tensión mecánica que queda en la superficie debido al procesamiento previo, logrando la precisión dimensional geométrica requerida. El volumen de procesamiento para el pulido basto suele superar los 15-20 μm.

2. **Pulido fino**: En esta etapa, la planitud y rugosidad locales de la superficie de la oblea de silicio se minimizan aún más para garantizar una alta calidad de la superficie. El volumen de procesamiento para el pulido fino es de aproximadamente 5 a 8 μm.

3. **Pulido fino "desempañante"**: este paso se centra en eliminar pequeños defectos de la superficie y mejorar las características nanomorfológicas de la oblea. La cantidad de material eliminado durante este proceso es de aproximadamente 1 μm.

4. **Pulido final**: para procesos de chips IC con requisitos de ancho de línea extremadamente estrictos (como chips de menos de 0,13 μm o 28 nm), un paso de pulido final es esencial después del pulido fino y el pulido fino "desempañante". Esto garantiza que la oblea de silicio logre una precisión de mecanizado y características de superficie a nanoescala excepcionales.

Es importante señalar que el pulido químico mecánico (CMP) deloblea de silicioLa superficie es distinta de la tecnología CMP utilizada para aplanar la superficie de la oblea en la preparación de circuitos integrados. Si bien ambos métodos implican una combinación de pulido químico y mecánico, sus condiciones, propósitos y aplicaciones difieren significativamente.

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