Anillos de tierra superiores recubiertos de CVD SiC

CVD SiCLos anillos de tierra superiores recubiertos generalmente se instalan en la región superior de la cámara de reacción en equipos de grabado por plasma, rodeando el mandril electrostático de la oblea. Los anillos de tierra superiores recubiertos de CVD SiC son vitales para todo el sistema de grabado, que pueden actuar como barrera física para proteger los componentes del dispositivo del ataque del plasma y ajustar el campo eléctrico interno y limitar el rango de distribución del plasma para garantizar resultados de grabado uniformes.

El grabado con plasma es una tecnología de grabado en seco ampliamente utilizada en la fabricación de semiconductores, que funciona utilizando interacciones físicas y químicas entre el plasma y la superficie de los materiales semiconductores para eliminar selectivamente áreas específicas, logrando así el procesamiento de estructuras de precisión. En el exigente entorno del grabado con plasma, el plasma de alta energía provoca corrosión agresiva y ataque a los componentes dentro de la cámara de reacción. Para garantizar un funcionamiento fiable y eficiente, los componentes de la cámara deben tener una excelente resistencia a la corrosión, propiedades mecánicas y características de baja contaminación. Los anillos de tierra superiores recubiertos de SiC CVD de Semicorex están perfectamente diseñados para abordar estos entornos operativos hostiles y de alta corrosión.

Recubrimiento confiable de SiC CVD

Para funcionar mejor en las duras condiciones de grabado, los anillos de tierra superiores recubiertos con CVD SiC de Semicorex están cubiertos con un recubrimiento CVD SiC de alto rendimiento, que mejora aún más su rendimiento y durabilidad.

1. Pureza ultraalta

ElRecubrimiento de SiCfabricado mediante el proceso CVD presenta una excelente densificación con pureza ultra alta (la pureza supera el 99,9999%), lo que puede evitar que los anillos de tierra superiores recubiertos con SiC de Semicorex CVD sufran un ataque de plasma de alta energía en aplicaciones de grabado, evitando así la contaminación causada por partículas de impureza de las matrices.

2. Resistencia a la corrosión mejorada

El recubrimiento de SiC fabricado mediante el proceso CVD ofrece una resistencia a la corrosión mejorada, lo que hace que los anillos de tierra superiores recubiertos de SiC CVD de Semicorex resistan eficazmente la desafiante corrosión del plasma (especialmente gases corrosivos como halógenos y flúor).

3. Propiedades mecánicas mejoradas

Los anillos de tierra superiores recubiertos con CVD SiC de Semicorex pueden soportar el intenso bombardeo de plasma, la tensión mecánica y la manipulación frecuente sin deformación ni fractura durante el servicio a largo plazo gracias a la mayor dureza y resistencia al desgaste del recubrimiento CVD SiC.

Procesamiento de alto estándar e inspección de calidad.

Para adaptarse perfectamente a las exigentes condiciones de grabado de semiconductores, los anillos de tierra superiores recubiertos de SiC CVD de Semicorex se someten a un mecanizado de precisión y a una inspección rigurosa.

Tratamiento superficial: La precisión del pulido es Ra <0,1 µm; La precisión de molienda fina es Ra > 0,1 µm.

La precisión del procesamiento se controla dentro de ≤ 0,03 mm

Inspección de calidad:

Los anillos de SiC CVD sólidos de Semicorex están sujetos a análisis ICP-MS (espectrometría de masas de plasma acoplado inductivamente). Los anillos de SiC CVD sólidos de Semicorex están sujetos a mediciones dimensionales, pruebas de resistividad e inspección visual, lo que garantiza que los productos estén libres de astillas, rayones, grietas, manchas y otros defectos.