Sustrato AIN

Conductividad térmica y aislamiento eléctrico inigualables

El sustrato AIN de Semicorex se destaca principalmente por su excepcional conductividad térmica, que es crucial para gestionar el calor en dispositivos electrónicos de alta potencia. Con una conductividad térmica estándar de 175 W/m·K y opciones de conductividad térmica alta (200 W/m·K) y ultraalta (230 W/m·K), el sustrato AIN disipa eficazmente el calor, asegurando la longevidad y confiabilidad de los componentes. Junto con sus fuertes propiedades de aislamiento eléctrico, el sustrato AIN es el material preferido para submontajes, placas de circuito impreso (PCB) y paquetes para componentes de alta potencia y alta confiabilidad, así como disipadores de calor y diversos circuitos electrónicos.

Compatibilidad con Silicio y Expansión Térmica

Una de las características más destacadas del Sustrato AIN es su coeficiente de expansión térmica (CTE), que oscila entre 4 y 6 x 10^-6/K entre 20 y 1000°C. Este CTE es muy similar al del silicio, lo que convierte al sustrato AIN en un material ideal para la industria de semiconductores y el embalaje de dispositivos electrónicos. Esta compatibilidad reduce el riesgo de estrés térmico y garantiza una integración perfecta con componentes basados ​​en silicio, lo que mejora el rendimiento y la confiabilidad general del dispositivo.

Personalización para satisfacer diversas necesidades

Semicorex ofrece amplios servicios de personalización para el sustrato AIN, lo que permite soluciones personalizadas para cumplir con los requisitos de aplicaciones específicas. Ya sea que se necesite un tipo de esmerilado, un tipo de cocción instantánea, una alta resistencia a la flexión, una alta conductividad térmica, un tipo de pulido o un tipo de trazado láser, Semicorex puede proporcionar sustratos optimizados para las características de rendimiento deseadas. Este nivel de personalización garantiza que los clientes reciban sustratos que satisfagan con precisión sus necesidades térmicas, mecánicas y eléctricas.

Versatilidad en metalización y aplicaciones electrónicas

El sustrato AIN de Semicorex es compatible con varias técnicas de metalización, incluido el cobre recubierto directamente (DPC), el cobre adherido directamente (DBC), la impresión de película gruesa, la impresión de película delgada y la soldadura fuerte de metal activo (AMB). Esta versatilidad lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas, desde LED de alta potencia y circuitos integrados (CI) hasta transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y aplicaciones de baterías. La adaptabilidad del sustrato a diferentes métodos de metalización garantiza que se pueda utilizar de forma eficaz en diversos sistemas electrónicos.

Capacidades de diseño ultradelgado

Para aplicaciones donde el espacio y el peso son consideraciones críticas, Semicorex ofrece sustratos AIN con espesores de hasta 0,1 mm. Esta capacidad de diseño ultradelgado permite el desarrollo de dispositivos electrónicos compactos y livianos sin comprometer el rendimiento o la confiabilidad. La capacidad de producir sustratos tan delgados amplía aún más la gama de aplicaciones y mejora la flexibilidad del diseño para ingenieros y diseñadores.

Alternativa segura y respetuosa con el medio ambiente al BeO

En la industria de los semiconductores, el nitruro de aluminio se adopta cada vez más como sustituto del óxido de berilio (BeO) debido a su naturaleza no peligrosa durante el mecanizado. A diferencia del BeO, que plantea importantes riesgos para la salud durante el procesamiento, el AlN es seguro de manipular y procesar, lo que lo convierte en una alternativa más segura y respetuosa con el medio ambiente. Este cambio no solo mejora la seguridad de los trabajadores sino que también se alinea con regulaciones ambientales y objetivos de sostenibilidad más estrictos.

Alta resistencia mecánica

La resistencia mecánica del sustrato AIN es otra ventaja fundamental. Con una resistencia biaxial superior a 320 MPa, el sustrato garantiza durabilidad y resistencia bajo tensión mecánica. Esta alta resistencia mecánica es vital para aplicaciones que requieren materiales robustos y confiables, particularmente en electrónica de alta potencia y entornos operativos hostiles. La durabilidad del sustrato AIN contribuye a la longevidad y confiabilidad de los dispositivos en los que se utiliza.

Amplio espectro de aplicaciones

Las propiedades únicas del sustrato AIN lo hacen adecuado para un amplio espectro de aplicaciones de alta potencia y alto rendimiento:

LED de alta potencia: las excepcionales capacidades de gestión térmica del sustrato AIN garantizan el funcionamiento eficiente y una vida útil prolongada de los LED de alta potencia.

Circuitos integrados (CI): el aislamiento eléctrico y la conductividad térmica del sustrato AIN lo convierten en una opción ideal para los CI, mejorando el rendimiento y la confiabilidad.

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT): la capacidad del sustrato para gestionar cargas térmicas y de alta potencia es crucial para el funcionamiento de los IGBT en diversas aplicaciones de electrónica de potencia.

Aplicaciones de baterías: en tecnologías de baterías, el sustrato AIN proporciona una gestión térmica eficaz, mejorando la seguridad y el rendimiento.

Aplicaciones piezoeléctricas: la resistencia mecánica y las propiedades térmicas del sustrato admiten dispositivos piezoeléctricos de alta precisión.

Motores de alta potencia: la conductividad térmica y la durabilidad del sustrato AIN mejoran la eficiencia y la vida útil de los motores de alta potencia.

Computación cuántica: las propiedades precisas de gestión térmica y aislamiento eléctrico del sustrato AIN lo hacen adecuado para aplicaciones avanzadas de computación cuántica.