Oblea SICOI

SOMOSobleaes un material semiconductor compuesto con una estructura de tres capas que se fabrica mediante un método único.

La capa inferior de la estructura de la oblea SICOI es un sustrato de silicio, que proporciona un soporte mecánico confiable para garantizar la estabilidad estructural de la oblea SICOI. Su conductividad térmica óptima reduce el impacto de la acumulación de calor en el rendimiento de los dispositivos semiconductores, permitiéndoles funcionar normalmente durante mucho tiempo incluso a alta potencia. Además, el sustrato de silicio es compatible con los equipos y maquinaria utilizados actualmente en la fabricación de semiconductores. Esto reduce con éxito los costos y la complejidad de fabricación al tiempo que acelera la investigación y el desarrollo de productos y la producción en masa.

Ubicada entre el sustrato de silicio y la capa del dispositivo de SiC, la capa de óxido aislante es la capa intermedia de la oblea SICOI. Al aislar las rutas de corriente entre las capas superior e inferior, la capa de óxido aislante reduce efectivamente el riesgo de cortocircuitos y garantiza el rendimiento eléctrico estable de los dispositivos semiconductores. Debido a su característica de baja absorción, puede reducir significativamente la dispersión óptica y mejorar la eficiencia de transmisión de señales ópticas de los dispositivos semiconductores.

La capa del dispositivo de carburo de silicio es la capa funcional fundamental de la estructura de la oblea SICOI. Es esencial para lograr funciones electrónicas, fotónicas y cuánticas de alto rendimiento debido a su excepcional resistencia mecánica, alto índice de refracción, baja pérdida óptica y notable conductividad térmica.

Las aplicaciones de las obleas SICOI:

1.Para la fabricación de dispositivos ópticos no lineales como peine de frecuencia óptica.

2.Para la fabricación de chips fotónicos integrados.

3.Para la fabricación de moduladores electroópticos.

4.Para la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia, como interruptores de alimentación y dispositivos de RF.

2.Para la fabricación de chips fotónicos integrados.