Oblea de ltOi

Semicorex ofrece una oblea LTOI de alta calidad, diseñada para aplicaciones avanzadas en filtros de RF, dispositivos ópticos y tecnologías MEMS. Nuestras obleas cuentan con una capa de tantalato de litio (LT) con un rango de espesor de 0.3-50 µm, lo que garantiza un rendimiento piezoeléctrico excepcional y la estabilidad térmica.

Disponible en tamaños de 6 y 8 pulgadas, estas obleas admiten varias orientaciones de cristal, incluidos los cortes X, Z e Y-42, proporcionando versatilidad para diferentes requisitos de dispositivos. El sustrato aislante se puede personalizar a SI, sic, zafiro,

 espinela o cuarzo, optimización del rendimiento para aplicaciones específicas.

El cristal de tantalato de litio (LT, Litao3) es un importante material de cristal multifuncional con excelentes efectos piezoeléctricos, ferroeléctricos, acústicos y electroópticos. Los cristales LT de grado acústico que cumplen con aplicaciones piezoeléctricas se pueden utilizar para preparar resonadores acústicos de banda ancha de alta frecuencia, transductores, líneas de retraso, filtros y otros dispositivos, que se utilizan en comunicaciones móviles, comunicaciones satelitales, procesamiento de señales digitales, televisión, transmisión, radar, sensación remota y telemetría y otros campos civiles, así como contrarmedmemes electrónicos, fusiones, fusiones, fusiones y otras etapas militares.

Los dispositivos de onda acústica de superficie tradicional (SAW) se preparan en bloques de cristal único LT, y los dispositivos son grandes y no son compatibles con los procesos CMOS. El uso de películas delgadas de un solo cristal piezoeléctrico de alto rendimiento es una buena opción para mejorar la integración de dispositivos de sierra y reducir los costos. Los dispositivos SAW basados ​​en películas delgadas piezoeléctricas de cristal único no solo pueden mejorar la capacidad de integración de los dispositivos SAW mediante el uso de materiales semiconductores como sustratos, sino también mejorar la velocidad de transmisión de las ondas de sonido seleccionando sustratos de silicio, zafiro o diamantes de alta velocidad. Estos sustratos pueden suprimir la pérdida de ondas en la transmisión guiando la energía dentro de la capa piezoeléctrica. Por lo tanto, elegir la película y el proceso de preparación de un solo cristal piezoeléctrico derecho es el factor clave para obtener dispositivos de sierra de alto rendimiento, de bajo costo y altamente integrados.

Para satisfacer las necesidades urgentes de la próxima generación de dispositivos acústicos piezoeléctricos para la integración, miniaturización, alta frecuencia y gran ancho de banda bajo la tendencia de desarrollo de integración y miniaturización de la front-end de RF, la tecnología de corte inteligente que combina la tecnología de desprecio de cristal (CIS) y la tecnología de vinculación de los objeto se puede utilizar para preparar una película de un solo cristal de cristal (LO LO IMATURA), LO LO IMATULA), LO PRODUCCIÓN DEL ASUNTULA (LO DE LA IMATULACIÓN (LO LO ITA). Solución y solución para el desarrollo de dispositivos de procesamiento de señal RF de mayor rendimiento y menor costo. LTOI es una tecnología revolucionaria. Los dispositivos SAW basados ​​en la oblea LTOI tienen las ventajas de un tamaño pequeño, ancho de banda grande, alta frecuencia de operación e integración de IC, y tienen amplias perspectivas de aplicaciones de mercado.

La tecnología de eliminación de implantación de iones de cristal (CIS) puede preparar materiales de película delgada de cristal único de alta calidad con grosor submicrónico, y tiene las ventajas del proceso de preparación controlable, parámetros de proceso ajustables, como energía de implantación de iones, dosis de implantación y temperatura de recocido. A medida que la tecnología CIS madura, la tecnología de corte inteligente basada en la tecnología de la CEI y la tecnología de unión de obleas no solo puede mejorar el rendimiento de los materiales de sustrato, sino que también reducir los costos a través de la utilización múltiple de materiales. La Figura 1 es un diagrama esquemático de implantación de iones y unión y pelado de obleas. La tecnología de corte inteligente fue desarrollado por primera vez por SOITEC en Francia y se aplicó a la preparación de obleas de silicio sobre aislador (SOI) de alta calidad [18]. La tecnología de corte inteligente no solo puede producir obleas SOI de alta calidad y de bajo costo, sino también controlar el grosor de SI en la capa aislante cambiando la energía de implantación de iones. Por lo tanto, tiene una fuerte ventaja en la preparación de materiales SOI. Además, la tecnología de corte inteligente también tiene la capacidad de transferir una variedad de películas de cristal único a diferentes sustratos. Se puede utilizar para preparar materiales de película delgada multicapa con funciones y aplicaciones especiales, como construir películas LT en sustratos SI y preparar materiales de película delgada piezoeléctrica de alta calidad en silicio (SI). Por lo tanto, esta tecnología se ha convertido en un medio efectivo para preparar películas de cristal individual tantalato de litio de alta calidad.