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Tecnología Semicorex para grafito especial

2024-11-14

Alto rendimientografito isostáticoLos materiales son vitales en varios sectores de fabricación industrial de alta gama y sirven como componentes fundamentales clave para el avance de la industria de semiconductores de tercera generación, particularmente en la producción de carburo de silicio (SiC). A medida que aumenta el mercado mundial de semiconductores, el mercado de materiales semiconductores está posicionado para un crecimiento significativo. El rendimiento y la calidad de los materiales de grafito isostático influyen directamente en la calidad, el control de defectos, las especificaciones y los grados de los cristales de carburo de silicio, lo que los hace indispensables en la fabricación de semiconductores.


Método de un solo paso


Semicorex está a la vanguardia de la innovación con su “método de un solo paso” (método de autosinterización) para preparar materiales de grafito de alto rendimiento, que supera significativamente a los métodos binarios tradicionales. Nuestros productos no sólo igualan sino que a menudo superan los indicadores de rendimiento de los materiales de grafito líderes en el mundo.


El “método de un solo paso” simplifica el proceso de fabricación en cuatro pasos esenciales: producción personalizada de materia prima, prensado isostático, tostado y grafitización. Eliminando los engorrosos y timGracias a los intensivos procesos de pulverizado, amasado e impregnación que se observan en los métodos tradicionales, hemos creado un proceso de preparación simplificado y altamente controlable. Este enfoque da como resultado un ciclo de producción dramáticamente reducido: hasta 1/3 a 1/4 del de traMétodos adicionales, lo que permite una entrega rápida del producto en tan solo dos meses.


Grafito isostáticomaterialesproducidos mediante este método de autosinterización demuestran una sección transversal suave y delicada, defectos mínimos, alta resistencia de unión de la interfaz y grafito que no se decolora. Logran una densidad ultraalta, una resistencia ultraalta y una estructura de poros ultrafina, cualidades que no son negociables en la búsqueda de la excelencia. Además, este método maximiza la homogeneidad y consistencia del producto.


Ventajas de rendimiento


El alto rendimiento de Semicorexgrafito isostáticomaterialesSuperar consistentemente a los productos extranjeros en métricas clave de desempeño. Logramos densidad ultraalta (1,92-1,95 g/cm³), resistencia ultraalta (resistencia a la flexión de 80-90 MPa), conductividad superior (resistividad de 9-10 μΩm), alta conductividad térmica (140 W/mK), y poros ultrafinos (tamaño de poro abierto de 0,4 a 0,6 micrones).


Estos excepcionales materiales de grafito destacan en el crecimiento de cristales de carburo de silicio y en aplicaciones de campos térmicos epitaxiales, lo que garantiza la estabilidad de entornos térmicos que minimizan los defectos y mejoran la calidad de los cristales de SiC. Su excelente resistencia a la corrosión por vapor de silicio garantiza durabilidad, extendiendo la vida útil de los componentes de grafito de campo térmico, lo que reduce efectivamente el costo de los consumibles esenciales para la producción de cristales de SiC.


Elija Semicorex, elija la excelencia


La ruta de producción incomparable de Semicorex, los procesos sencillos y controlables, junto con nuestro equipo de tratamiento térmico inteligente de última generación, garantizan una consistencia de temperatura óptima durante la evolución estructural de los materiales de grafito. Esto garantiza un alto rendimiento, homogeneidad y consistencia en todos nuestros productos. Nuestrografito isostáticoLas ofertas no solo se caracterizan por su alta densidad y resistencia, sino también por una conductividad térmica y eléctrica excepcional, lo que mejora enormemente su competitividad en el mercado.


Como fabricante líder de materiales de grafito en la industria de semiconductores, Semicorex prioriza la disponibilidad, usabilidad y durabilidad de sus materiales, estableciendo el estándar de excelencia en el campo.


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