Grabado en seco versus grabado en húmedo

En la fabricación de semiconductores, el grabado es uno de los pasos principales, junto con la fotolitografía y la deposición de películas delgadas. Implica eliminar materiales no deseados de la superficie de una oblea mediante métodos químicos o físicos. Este paso se lleva a cabo después del recubrimiento, la fotolitografía y el revelado. Se utiliza para eliminar el material de película delgada expuesto, dejando solo la porción deseada de la oblea y luego eliminando el exceso de fotorresistente. Estos pasos se repiten numerosas veces para crear circuitos integrados complejos.

El grabado se clasifica en dos categorías: grabado seco y grabado húmedo. El grabado en seco implica el uso de gases reactivos y grabado con plasma, mientras que el grabado en húmedo implica sumergir el material en una solución corrosiva para corroerlo. El grabado en seco permite el grabado anisotrópico, lo que significa que solo se graba la dirección vertical del material sin afectar el material transversal. Esto asegura la transferencia de pequeños gráficos con fidelidad. Por el contrario, el grabado húmedo no es controlable, lo que puede reducir el ancho de la línea o incluso destruir la línea misma. Esto da como resultado chips de producción de mala calidad.

El grabado en seco se clasifica en grabado físico, grabado químico y grabado físico-químico según el mecanismo de grabado iónico utilizado. El grabado físico es altamente direccional y puede ser un grabado anisotrópico, pero no un grabado selectivo. El grabado químico utiliza plasma en la actividad química del grupo atómico y el material a grabar para lograr el propósito del grabado. Tiene buena selectividad, pero la anisotropía es pobre debido al núcleo del grabado o reacción química.