GaN frente a SiC

Hay varios materiales actualmente bajo investigación, entre los cualescarburo de siliciodestaca como uno de los más prometedores. Similar aGaN, cuenta con voltajes de funcionamiento más altos, voltajes de ruptura más altos y una conductividad superior en comparación con el silicio. Además, gracias a su alta conductividad térmica,carburo de silicioSe puede utilizar en ambientes con temperaturas extremas. Por último, es significativamente más pequeño pero capaz de manejar una mayor potencia.

A pesar deSices un material adecuado para amplificadores de potencia, no es apropiado para aplicaciones de alta frecuencia. Por otro lado,GaNEs el material preferido para construir pequeños amplificadores de potencia. Sin embargo, los ingenieros enfrentaron un desafío al combinarGaNcon transistores MOS de silicio tipo P, ya que limitaba la frecuencia y eficiencia deGaN. Si bien esta combinación ofrecía capacidades complementarias, no era una solución ideal al problema.

A medida que avanza la tecnología, los investigadores pueden eventualmente encontrar dispositivos GaN tipo P o dispositivos complementarios que utilicen diferentes tecnologías que puedan combinarse conGaN. Hasta ese día, sin embargo,GaNseguirá estando limitado por la tecnología de nuestro tiempo.

El avance deGaNLa tecnología requiere un esfuerzo de colaboración entre la ciencia de los materiales, la ingeniería eléctrica y la física. Este enfoque interdisciplinario es necesario para superar las limitaciones actuales deGaNtecnología. Si podemos lograr avances en el desarrollo de GaN tipo P o encontrar materiales complementarios adecuados, no solo mejoraremos el rendimiento de los dispositivos basados ​​en GaN sino que también contribuiremos al campo más amplio de la tecnología de semiconductores. Esto podría allanar el camino para sistemas electrónicos más eficientes, compactos y fiables en el futuro.