Receptor Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor, una confluencia de resistencia a altas temperaturas, inercia química y difusión térmica superior, se erige como un modelo de resiliencia y eficiencia frente a las condiciones intensivas sinónimo de esfuerzos de crecimiento epitaxial. La aplicación de un recubrimiento de SiC aumenta significativamente los atributos térmicos del susceptor Epi-SiC. Esta mejora facilita la distribución térmica uniforme esencial para el calentamiento de las obleas, fundamental para la deposición de capas epitaxiales consistentes y de alta calidad a través de las obleas semiconductoras.

Hecho a medida para satisfacer las exigentes demandas de los procesos epitaxiales de obleas, el susceptor Epi-SiC respalda el transporte fluido de obleas dentro del entorno del horno. Su diseño robusto es un baluarte contra el desplazamiento o compromiso de la oblea, mitigando así la incidencia de daño durante las etapas críticas del desarrollo de la capa epitaxial. Además, el susceptor Epi-SiC actúa como una barrera protectora para el sustrato de grafito que se encuentra debajo, protegiéndolo de las interacciones químicas y la abrasión que los procesos epitaxiales podrían inducir.

La fusión de un núcleo de grafito resistente con un revestimiento protector de SiC no solo refuerza las métricas de rendimiento del Epi-SiC Susceptor sino que también prolonga significativamente su vida útil. El resultado es una inversión que genera dividendos en forma de ahorros operativos sostenidos para las empresas de producción de semiconductores, lo que posiciona al susceptor Epi-SiC como una opción acertada para quienes buscan optimizar sus operaciones de fabricación.