2023-08-18
El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico. Los cristales de SiC también pueden tener dislocaciones macroscópicas, como inclusiones de Si o C, microtubos, huecos hexagonales, polimorfos, etc. Estas dislocaciones suelen ser de gran tamaño.
Uno de los principales problemas en la fabricación de dispositivos de SiC son las microestructuras tridimensionales conocidas como "microtubos" o "orificios", que suelen tener un tamaño de 30 a 40 um y 0,1 a 5 um, respectivamente. Estos microtubos tienen una densidad de 10-10³/cm² y pueden penetrar la capa epitaxial, lo que provoca defectos que destruyen el dispositivo. Son causadas principalmente por la agrupación de dislocaciones espiro y se consideran el principal obstáculo en el desarrollo de dispositivos de SiC.
Los defectos de los microtúbulos en el sustrato son la fuente de otros defectos formados en la capa epitaxial durante el proceso de crecimiento, como huecos, inclusiones de varios polimorfos, maclas, etc. Por lo tanto, lo más importante que se debe hacer durante el proceso de crecimiento del material del sustrato para dispositivos de SiC de alto voltaje y alta potencia es reducir la formación de defectos de microtúbulos en cristales de SiC en masa y evitar que entren en la capa epitaxial.
El microtubo se puede ver como pequeños hoyos, y optimizando las condiciones del proceso podemos "rellenar los hoyos" para reducir la densidad del microtubo. Varios estudios en la literatura y datos experimentales han demostrado que la epitaxia por evaporación, el crecimiento de CVD y la epitaxia en fase líquida pueden llenar el microtubo y reducir la formación de microtubo y dislocaciones.
Semicorex utiliza la técnica MOCVD para crear recubrimientos de SiC que disminuyen eficazmente la densidad de los microtubos, lo que da como resultado productos de alta calidad. Si tiene alguna consulta o necesita detalles adicionales, no dude en ponerse en contacto con nosotros.
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