> Productos > Cerámico > Carburo de silicio (SiC) > Anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores

Productos

nuevos productos

Anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores

Los anillos de enfoque duraderos de Semicorex para procesamiento de semiconductores están diseñados para soportar los entornos extremos de las cámaras de grabado por plasma utilizadas en el procesamiento de semiconductores. Nuestros anillos de enfoque están hechos de grafito de alta pureza recubierto con una capa densa y resistente al desgaste de carburo de silicio (SiC). El revestimiento de SiC tiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD) para mejorar la vida útil de nuestros anillos de enfoque.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Nuestros anillos de enfoque duraderos para el procesamiento de semiconductores están diseñados para mejorar la uniformidad del grabado alrededor del borde o perímetro de la oblea, minimizando la contaminación y el mantenimiento no programado. Son muy estables para el recocido térmico rápido (RTA), el procesamiento térmico rápido (RTP) y la limpieza química agresiva.

En Semicorex, nos enfocamos en proporcionar anillos de enfoque duraderos, rentables y de alta calidad para el procesamiento de semiconductores, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestros anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores.

Parámetros de anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de los anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores

● Recubrimiento de SiC y grafito de alta pureza para resistencia a perforaciones y mayor vida útil.

● Tanto el sustrato de grafito como la capa de SiC tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

● El recubrimiento de SiC se aplica en capas finas para mejorar la vida útil.

Etiquetas calientes: Anillos de enfoque duraderos para procesamiento de semiconductores, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizados, a granel, avanzados, duraderos

Etiqueta del producto

Categoría relacionada