Susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial de LPE

El susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial de LPE es un producto de alto rendimiento diseñado para proporcionar un rendimiento consistente y confiable durante un período prolongado. Su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad en chips de obleas. Su personalización y rentabilidad lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.

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Descripción del Producto

Nuestro susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial de LPE es un producto confiable y de alta calidad que ofrece una excelente relación calidad-precio. Su resistencia a la oxidación a alta temperatura, su perfil térmico uniforme y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad en chips de obleas. Sus bajos requisitos de mantenimiento y su capacidad de personalización lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.

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Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC para el crecimiento epitaxial de LPE

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de barril recubierto de SiC para el crecimiento epitaxial de LPE

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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