Soporte de cristal de semilla recubierto de TaC

El sustrato derecubierto de TaCEl soporte de cristal semilla generalmente está hecho de grafito, carburo de silicio o materiales compuestos de carbono/carbono, y luego se aplica una capa de recubrimiento de TaC a su superficie mediante tecnología avanzada de deposición química de vapor (CVD) a temperatura ultraalta. El soporte de cristal semilla recubierto de TaC fabricado con este método tiene una excelente resistencia a la corrosión, súper resistencia mecánica, buena resistencia a las altas temperaturas y una conductividad térmica eficiente.

La función del soporte de cristal semilla recubierto de TaC

1.Función de soporte

El soporte de cristal semilla recubierto de TaC de Semicorex proporciona una plataforma de soporte estable para los cristales semilla, lo que garantiza que el cristal semilla mantenga una posición fija en condiciones difíciles, como altas temperaturas y alto vacío. Esto previene eficazmente problemas como el desplazamiento del cristal o daños causados ​​por la vibración y el flujo de aire y, por lo tanto, garantiza la continuidad y estabilidad del crecimiento del cristal.

2. Efecto protector

El soporte del cristal semilla recubierto de TaC se instala encima de la tapa del crisol de grafito y aísla la tapa de grafito del vapor de Si a alta temperatura. Esto evita eficazmente la corrosión inducida por el vapor y prolonga la vida útil de la tapa de grafito. Además, la estabilidad química inherente y la resistencia a las temperaturas térmicas del recubrimiento de TaC también ayudan a disminuir la introducción de impurezas, proporcionando un ambiente estable y limpio para el crecimiento de cristales semilla.

3. Control de temperatura

El soporte de cristal de semilla recubierto de TaC de Semicorex utiliza técnicas de fabricación que están a la vanguardia de la industria. Se puede lograr un control preciso de la temperatura del campo térmico optimizando de manera experta su forma, dimensiones y espesor de recubrimiento. Esto reduce considerablemente la tasa de defectos y promueve eficientemente el crecimiento uniforme de los cristales.