Comienza la producción de oblea 3C-SiC

La conductividad térmica del 3C-SiC a granel, medida recientemente, es la segunda más alta entre los cristales grandes de escala de pulgadas, ubicándose justo debajo del diamante. El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor de banda prohibida ancha ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas y existe en varias formas cristalinas conocidas como politipos. La gestión de un alto flujo de calor localizado es un desafío importante en la electrónica de potencia, ya que puede provocar el sobrecalentamiento del dispositivo y problemas de rendimiento y confiabilidad a largo plazo.

Los materiales de alta conductividad térmica son cruciales en el diseño de gestión térmica para abordar este desafío de manera efectiva. Los politipos de SiC más utilizados y estudiados son la fase hexagonal (6H y 4H), mientras que la fase cúbica (3C) está menos explorada, a pesar de su potencial de excelentes propiedades electrónicas.

La conductividad térmica medida de 3C-SiC ha sido desconcertante, ya que cae por debajo de la fase estructuralmente más compleja de 6H-SiC e incluso por debajo del valor predicho teóricamente. En realidad, el contenido de los cristales 3C-SiC provoca una dispersión de fonones resonantes extremos, lo que reduce significativamente su conductividad térmica. Alta conductividad térmica de los cristales 3C-SiC de alta pureza y alta calidad cristalina.

Sorprendentemente, las películas delgadas de 3C-SiC cultivadas en sustratos de Si exhiben una temperatura térmica en el plano y en el plano cruzado récordconductividad, superando incluso películas delgadas de diamante de espesores equivalentes. Este estudio clasifica al 3C-SiC como el segundo material de conductividad térmica más alto entre los cristales en escala de pulgadas, solo superado por el diamante monocristalino, que cuenta con la conductividad térmica más alta entre todos los materiales naturales.

La rentabilidad, la facilidad de integración con otros materiales y la capacidad de producir obleas de gran tamaño hacen del 3C-SiC un material de gestión térmica muy adecuado y un material electrónico excepcional con alta conductividad térmica para la fabricación escalable. La combinación única de propiedades térmicas, eléctricas y estructurales de 3C-SiC tiene el potencial de revolucionar la próxima generación de productos electrónicos, sirviendo como componentes activos o materiales de gestión térmica para facilitar la refrigeración del dispositivo y reducir el consumo de energía. Las aplicaciones que pueden beneficiarse de la alta conductividad térmica de 3C-SiC incluyen electrónica de potencia, electrónica de radiofrecuencia y optoelectrónica.

Nos complace informarles que Semicorex ha comenzado la producción deobleas 3C-SiC de 4 pulgadas. Si tiene alguna pregunta o necesita más información, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

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