Anillos de obleas de 8 pulgadas

Los anillos semicorex de obleas de 8 pulgadas son hardware de procesamiento de semiconductores de vanguardia destinados a asegurar y admitir obleas de silicio de manera segura a través de importantes procesos térmicos, de grabado y deposición. Construido a partir de grafito de alta calidad con un densorecubrimiento de carburo de silicio (sic)Para mayor resistencia, el anillo del soporte de la oblea produce una estabilidad térmica superior, resistencia química y resistencia mecánica, lo que lo hace ideal para su uso en entornos de alta temperatura y corrosivos como CVD (deposición de vapor químico), PECVD y sistemas de epitaxia.

Características clave:

Composición de material:

El material del sustrato esgrafito de alta pureza, que se selecciona para una alta conductividad térmica y homogeneidad estructural. Alta densidad y uniformerecubrimiento de películas de carburo de silicio (sic)se aplica en la superficie, exhibiendo alta resistencia a la oxidación y el ataque químico incluso a temperaturas elevadas superiores a 1000 ° C. La mezcla contiene una vida útil de larga duración y un riesgo mínimo de contaminación de las obleas.

Posicionamiento seguro de obleas

Diseñado particularmente para mantener obleas de 8 pulgadas (200 mm), el anillo de los oblees contiene tolerancias precisas y una geometría interna de diseño óptimo para agarrar de forma segura la oblea. El anillo permanece estable en posición durante el ciclo térmico y el flujo de gas, minimizando el micro-movimiento que podría conducir a la creación de partículas o la rotura de la oblea.

Uniformidad térmica:

La conductividad térmica inherente del sustrato de grafito y la estabilidad del recubrimiento SIC aseguran una transferencia de calor constante sobre la superficie de la oblea. Esto da como resultado resultados consistentes del proceso, estrés térmico reducido y un mejor rendimiento del dispositivo.

Resistencia química y de plasma:

La superficie SIC protege el núcleo de grafito de los duros plasmas y gases de proceso, ofreciendo una resistencia a los ciclos de proceso repetidos. La inercia química es especialmente beneficiosa en los entornos de gas reactivo o de gas reactivo que contiene halógenos corrosivos.

Personalización disponible:

Los anillos de obleas de 8 pulgadas pueden diseñarse a medida para cumplir con los requisitos específicos de equipos o procesos, es decir, variaciones en el diseño de soporte de borde, ubicación de las ranuras y la configuración de montaje. Nuestros diseñadores trabajan con OEM y FABS para proporcionar el mayor rendimiento posible para cada uso.

Aplicaciones:

• LPCVD / PECVD / APCVD
• Procesos de crecimiento epitaxial
• Hornos de difusión
• Recocido a alta temperatura
• Otros sistemas de procesamiento térmico semiconductores

Cada anillo de obleas de 8 pulgadas sufre una inspección rigurosa como verificación de precisión de la dimensión, prueba de adhesión de recubrimiento y calificación de ciclo térmico. Nuestra tecnología de fabricación avanzada garantiza un grosor de recubrimiento SIC uniforme y el mejor acabado superficial para cumplir con las altas demandas de la industria de semiconductores.

Los anillos de obleas semicorex de 8 pulgadas (grafito recubierto de SIC) son un equipo esencial para la producción de semiconductores de próxima generación, proporcionando precisión mecánica, durabilidad del material y estabilidad química. Desde actualizaciones de equipos de proceso hasta la construcción de plataformas de obleas de próxima generación, este producto ofrece la confiabilidad y el rendimiento necesarios para permitir los entornos de producción exigentes de hoy.