Susceptor epitaxial de silicio monocristalino

Perfecto para epitaxia de grafito y procesos de manipulación de obleas, el susceptor epitaxial de silicio monocristalino ultrapuro Semicorex garantiza una contaminación mínima y proporciona un rendimiento de vida útil excepcionalmente larga. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El susceptor epitaxial de silicio monocristalino Semicorex es un producto de grafito recubierto con SiC altamente purificado, que tiene una alta resistencia al calor y a la corrosión. El portador recubierto de carburo de silicio CVD se utiliza en procesos que forman la capa epitaxial en obleas semiconductoras, que tiene una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
Nuestro susceptor epitaxial de silicio monocristalino está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor epitaxial de silicio monocristalino.

Parámetros del susceptor epitaxial de silicio monocristalino

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor epitaxial de silicio monocristalino

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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