Placa epitaxial de Si monocristalino

Un atributo primordial de la placa de Si monocristalino epitaxial reside en su densidad superior. La integración de un sustrato de grafito con un recubrimiento de carburo de silicio produce una densidad integral que es adecuada para proteger contra las condiciones rigurosas que se encuentran en ambientes corrosivos y de alta temperatura. Además, el susceptor recubierto de carburo de silicio, diseñado para la síntesis de monocristales, cuenta con un perfil de superficie excepcionalmente uniforme, un factor determinante para la producción sostenida de obleas de calidad impecable.

Igualmente fundamental para el diseño de nuestro producto es la mitigación de las discrepancias de expansión térmica entre el núcleo de grafito y su cubierta de carburo de silicio. Esta innovación aumenta notablemente la resistencia del adhesivo, evitando así los fenómenos de fisuras y estratificación. En sintonía con esto, la placa de Si monocristalino epitaxial exhibe una conductividad térmica elevada, junto con una propensión encomiable a la distribución uniforme del calor, factores que son fundamentales para lograr la homogeneidad de la temperatura durante el ciclo de producción.

Además, la placa de Si monocristalino epitaxial demuestra una resistencia encomiable a la degradación oxidativa y corrosiva a temperaturas elevadas, lo que respalda su longevidad y confiabilidad. Su umbral de resistencia térmica se ve subrayado por un punto de fusión significativo, lo que garantiza su capacidad para soportar el entorno térmico exigente intrínseco a la fabricación competente de semiconductores.