El susceptor de obleas de silicio monocristalino Semicorex es la solución ideal para procesos de epitaxia de grafito y manipulación de obleas. Nuestro producto ultrapuro garantiza una contaminación mínima y un rendimiento excepcional de larga duración, lo que lo convierte en una opción popular en muchos mercados europeos y americanos. Como proveedor líder de portadores de obleas semiconductoras en China, esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.
Nuestro susceptor epitaxial de silicio monocristalino es un producto de grafito recubierto con SiC de alta pureza, que tiene una alta resistencia al calor y a la corrosión. El portador recubierto de carburo de silicio CVD se utiliza en procesos que forman la capa epitaxial en obleas semiconductoras. Tiene una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, que son esenciales para procesos de fabricación de semiconductores eficientes y precisos.
Una de las características clave de nuestro susceptor de oblea de silicio monocristalino es su excelente densidad. Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura. El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana, lo cual es esencial para mantener una producción de obleas de alta calidad.
Otra característica importante de nuestro producto es su capacidad para reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio. Esto mejora efectivamente la fuerza de unión, evitando grietas y delaminación. Además, tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que garantiza que el calor se distribuya uniformemente durante el proceso de fabricación.
Nuestro susceptor de oblea de silicio monocristalino también es resistente a la oxidación y corrosión a altas temperaturas, lo que lo convierte en un producto confiable y duradero. Su alto punto de fusión garantiza que pueda soportar el entorno de alta temperatura necesario para la fabricación eficiente de semiconductores.
En conclusión, el susceptor de obleas de silicio monocristalino Semicorex es una solución ultrapura, duradera y confiable para procesos de manipulación de obleas y epitaxia de grafito. Su excelente densidad, planitud de superficie y conductividad térmica lo hacen ideal para su uso en ambientes corrosivos y de alta temperatura. Estamos orgullosos de ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos y esperamos asociarnos con usted para todas sus necesidades de portadores de obleas semiconductoras.
Parámetros del susceptor de oblea de silicio monocristalino
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
||
Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
|
Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
μm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de oblea de silicio monocristalino
- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.