Susceptor planetario ALD

El susceptor planetario Semicorex ALD es importante en los equipos ALD debido a su capacidad para soportar duras condiciones de procesamiento, lo que garantiza la deposición de películas de alta calidad para una variedad de aplicaciones. A medida que continúa creciendo la demanda de dispositivos semiconductores avanzados con dimensiones más pequeñas y rendimiento mejorado, se espera que el uso del susceptor planetario ALD en ALD se expanda aún más.**

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Descripción del Producto

Aplicaciones:

Deposición dieléctrica de alto k: El susceptor planetario ALD muestra una excelente resistencia a los precursores agresivos utilizados para depositar materiales dieléctricos de alta k como el óxido de hafnio (HfO2) y el óxido de aluminio (Al2O3). Esto hace que el susceptor planetario ALD sea adecuado para fabricar transistores de alto rendimiento para aplicaciones de lógica y memoria.

Capas de metalización: La estabilidad a altas temperaturas del susceptor planetario ALD permite la deposición de capas de metalización a temperaturas elevadas, lo que mejora las propiedades de la película, como una menor resistividad y una mayor densidad. Esto es crucial para crear interconexiones eficientes en dispositivos semiconductores avanzados.

Fabricación de dispositivos optoelectrónicos:La naturaleza inerte del susceptor planetario ALD minimiza las reacciones no deseadas con los precursores utilizados para depositar materiales sensibles como los semiconductores III-V, lo que hace que el susceptor planetario ALD sea perfecto para fabricar LED, láseres y otros componentes optoelectrónicos.

Ciclo ALD

Deposición de capas atómicas (ALD)Ofrece varias ventajas clave sobre otras técnicas de deposición de películas delgadas, lo que la hace cada vez más popular para diversas aplicaciones, particularmente en microelectrónica y nanotecnología.

Estas son algunas de las ventajas clave de ALD:

1. Control de espesor a nivel de Angstrom:

ALD permite un control preciso del espesor de la película hasta el nivel de angstrom (0,1 nanómetros). Este nivel de precisión se logra a través de sus reacciones superficiales autolimitantes, donde cada ciclo deposita una única capa atómica.

2. Excelente uniformidad y conformidad:

ALD exhibe una uniformidad excepcional en grandes áreas de superficie y estructuras 3D complejas, incluidas características de alta relación de aspecto como zanjas y vías. Esto es crucial para aplicaciones que requieren recubrimientos uniformes en geometrías complejas, como en dispositivos semiconductores.

3. Baja temperatura de deposición:

La ALD se puede realizar a temperaturas relativamente bajas (a menudo por debajo de 300 °C) en comparación con otras técnicas de deposición. Esto es ventajoso para sustratos sensibles al calor y permite el uso de una gama más amplia de materiales.

4. Películas de alta calidad:

ALD normalmente produce películas con excelente densidad, bajos niveles de impurezas y alta uniformidad en composición y espesor. Estas características son esenciales para lograr un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones.

5. Amplia selección de materiales:

ALD ofrece una amplia selección de materiales que se pueden depositar, incluidos óxidos, nitruros, metales y sulfuros. Esta versatilidad lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones.

6. Escalabilidad y aplicabilidad industrial:

La tecnología ALD es altamente escalable y puede integrarse fácilmente en los procesos de fabricación existentes. Es compatible con varios tamaños y formas de sustratos, lo que lo hace adecuado para producciones de gran volumen.