Anillo de enfoque de SiC

Semicorex SiC Focus Ring es un componente con forma de anillo diseñado con precisión y fabricado con carburo de silicio de alta pureza. El anillo de enfoque de SiC está diseñado para aplicaciones avanzadas de procesamiento de semiconductores. El carburo de silicio de alta pureza proporciona un rendimiento excelente en términos de estabilidad térmica (alto punto de fusión), durabilidad mecánica (alta dureza) y propiedades de conducción eléctrica, lo cual es fundamental para cumplir con las especificaciones de muchas tecnologías de fabricación de obleas de próxima generación. Los anillos de enfoque de SiC son componentes que se encuentran en los componentes de la cámara de deposición y grabado por plasma y desempeñan un papel esencial en el control de la distribución del plasma, el logro de la uniformidad de las obleas y el rendimiento en la producción en masa.

La pureza del material y el rendimiento eléctrico del SiC Focus Ring son algunos de los factores más críticos que definen este componente y lo diferencian de los materiales cerámicos. Alta purezacarburo de silicioA diferencia de los materiales cerámicos tradicionales, ya que proporciona una combinación de 

dureza, así como resistencia a muchos productos químicos y propiedades eléctricas únicas. En particular, y lo que es más importante, el carburo de silicio de alta pureza se puede diseñar utilizando dopantes y métodos de procesamiento para producir los niveles más adecuados de rendimiento conductivo o insultante con el equilibrio semiconductor ideal para interactuar con el plasma, lo que permite un rendimiento estable en entornos de alta energía donde es más probable que la acumulación de carga y el desequilibrio eléctrico causen errores en el proceso.

Debido al efecto de borde del plasma, la densidad es mayor en el centro y menor en los bordes. El anillo de enfoque genera, gracias a su forma anular y a las propiedades del material CVD SiC, un campo eléctrico específico. Este campo guía y confina las partículas cargadas (iones y electrones) en el plasma a la superficie de la oblea, particularmente en el borde. Esto efectivamente aumenta la densidad del plasma en el borde, acercándolo a la del centro. Esto mejora significativamente la uniformidad del grabado en toda la oblea, reduce el daño en los bordes y aumenta el rendimiento.

Mercury Manufacturing procesa el anillo de enfoque de SiC utilizando sofisticados procesos de mecanizado y pulido que logran tolerancias dimensionales estrictas y un acabado superficial suave. La precisión dimensional de estos componentes permite la compatibilidad con los diversos proveedores de equipos semiconductores para garantizar la intercambiabilidad entre muchos sistemas de deposición y grabado por plasma. También se pueden desarrollar diseños personalizados para cumplir con requisitos de procesos específicos, incluido el espesor del anillo, el diámetro interior y exterior y los niveles de conductividad de la superficie.

La pureza del material y el rendimiento eléctrico del SiC Focus Ring son algunos de los factores más críticos que definen este componente y lo diferencian de los materiales cerámicos. Alta pureza