Susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

El susceptor de barril de grafito recubierto de SiC Semicorex es la elección perfecta para aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren una distribución de calor y una conductividad térmica excepcionales. Su recubrimiento de SiC de alta pureza y su densidad superior brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.

Nuestro susceptor de barril de grafito recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

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Parámetros del susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

Características del susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.