Semicorex Susceptor with Grid es un componente especializado que se utiliza en el proceso de crecimiento epitaxial de obleas semiconductoras. Semicorex se compromete a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Semicorex Susceptor with Grid es un componente especializado que se utiliza en el proceso de crecimiento epitaxial de obleas semiconductoras. Esta pieza crítica del equipo está diseñada para transportar y soportar las obleas durante la deposición de materiales en un sistema de deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD). El Susceptor con Rejilla desempeña un papel fundamental a la hora de garantizar un crecimiento uniforme y controlado de las capas epitaxiales de la oblea semiconductora.
El Susceptor con Rejilla está construido con materiales optimizados para su función. En este caso, está fabricado con grafito recubierto de MOCVD SiC (carburo de silicio por deposición química en vapor de metal-orgánico). Esta elección de materiales proporciona varias ventajas, incluida la resistencia a altas temperaturas, la estabilidad química y una excelente conductividad térmica. El recubrimiento de SiC sobre el grafito mejora la durabilidad y la resistencia del susceptor a las duras condiciones encontradas durante el proceso de crecimiento epitaxial.
La estructura Susceptor con Rejilla sirve como mecanismo de soporte para las obleas semiconductoras. Está estratégicamente diseñado para mantener las obleas en su lugar de forma segura y al mismo tiempo permitir el flujo eficiente de gases y la deposición uniforme de materiales. El patrón de rejilla ayuda a distribuir el calor y los reactivos de manera uniforme por la superficie de la oblea, lo que contribuye al control preciso del espesor y la composición de la capa epitaxial.
Semicorex Susceptor with Grid es un componente crítico en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores avanzados. Su construcción robusta y diseño especializado lo convierten en una herramienta esencial para lograr un crecimiento epitaxial de alta calidad, asegurando la producción de semiconductores con rendimiento y confiabilidad superiores.