Los sustratos de nitruro de aluminio semicorex proporcionan una solución avanzada para aplicaciones de filtro RF de alto rendimiento, que ofrecen propiedades piezoeléctricas superiores, alta conductividad térmica y excelente estabilidad. Elegir semicorex garantiza el acceso a la calidad internacionalmente reconocida, la tecnología de punta y las capacidades de fabricación escalables, lo que lo convierte en el socio ideal para componentes electrónicos 5G y de próxima generación.*
Las definiciones de sustratos de nitruro de aluminio semicorex apuntan a plantillas de nitruro de aluminio a base de silicio. A medida que se desarrolla la era de 5G, las aplicaciones de alta frecuencia están ganando impulso rápidamente. La expansión y el desarrollo de redes 5G impulsan las demandas de más y más bandas de frecuencia junto con frecuencias operativas más altas. La onda tiene por parte sus requisitos proporcionados proporcionalmente tanto en cantidad como en calidad de los filtros de RF. Habilitar la industria de fabricación de filtros de RF de alto rendimiento es un requisito esencial para los materiales de sustrato piezoeléctrico que hayan demostrado una alta calidad.
Los sustratos de nitruro de aluminio de semiconductores de banda ultra ancho es un material de inmenso potencial de aplicación, debido a muchas propiedades sobresalientes, como un material potencial para el uso avanzado en electrónica y optoelectrónica. La banda de banda de hasta 6.2 eV demuestra el requisito de resistencia para una descomposición de campo alto, velocidad de deriva de electrones de alta saturación, químicos y estabilidad térmica. así como la conductividad térmica superior y la resistencia a la radiación. Estas características hacen de ALN un material indispensable en dispositivos electrónicos de alto rendimiento, particularmente en tecnologías de comunicación 5G.
En comparación con los materiales piezoeléctricos tradicionales, como el óxido de zinc (ZnO), el titanato de circonato de plomo (PZT) y el tantalato de litio/niobato de litio (LT/LN), los sustratos de nitruro de aluminio exhiben propiedades excepcionales que los hacen muy adecuados para los filtros 5G RF. Estas propiedades incluyen alta resistividad eléctrica, excelente conductividad térmica, estabilidad superior y una velocidad de propagación de onda acústica ultra rápida. Específicamente, la velocidad de onda longitudinal de ALN alcanza aproximadamente 11,000 m/s, mientras que la velocidad de onda transversal es de alrededor de 6,000 m/s. Estas características colocan a ALN como uno de los materiales piezoeléctricos más ideales para la onda acústica de la superficie de alto rendimiento (SAW), la onda acústica a granel (BAW) y los filtros RF de resonador acústico a granel (FBAR).
Los sustratos de nitruro de aluminio están diseñados principalmente para el mercado de materiales piezoeléctricos en filtros frontales 5G RF. Los parámetros de calidad y clave de este producto han sido rigurosamente probados y verificados por instituciones autorizadas de terceros y evaluaciones de procesamiento a nivel de obleas. Estas evaluaciones han confirmado que el producto cumple e incluso supera los estándares internacionales. Además, la tecnología requerida para la fabricación a gran escala ya se ha establecido, lo que garantiza una producción y suministro en masa estable para satisfacer las demandas del mercado.
La implementación de redes 5G requiere el uso de filtros de RF altamente eficientes y confiables para manejar el creciente número de bandas de frecuencia. Los sustratos de ALN juegan un papel crítico en la fabricación de filtros SAW, BAW y FBAR, que son componentes esenciales en los módulos front-end de RF. Estos filtros permiten la selección de frecuencia precisa, la amplificación de la señal y la reducción de la interferencia, asegurando la transmisión de datos suave y de alta velocidad en dispositivos de comunicación 5G, como teléfonos inteligentes, estaciones base y aplicaciones IoT.
Además, los sustratos de nitruro de aluminio no se limitan solo a los filtros de RF. También tienen aplicaciones prometedoras en electrónica de potencia, transistores de alta frecuencia, dispositivos optoelectrónicos y comunicaciones satelitales. Su capacidad para soportar altos voltajes y operar en condiciones extremas los convierte en una opción atractiva para los componentes electrónicos de próxima generación.