Oblea de un solo cristal de Aln

La oblea de cristal único semicorex es un avance revolucionario en la tecnología de semiconductores, que ofrece una combinación única de propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas excepcionales. Como un material semiconductor de banda ultra ancho con una banda de banda de 6.2 eV, ALN se reconoce cada vez más como el sustrato óptimo para dispositivos optoelectrónicos ultravioleta (UV) de alta potencia, alta frecuencia y de alta frecuencia. Estas propiedades posicionan ALN ​​como una alternativa superior a los sustratos tradicionales como el zafiro, el carburo de silicio (SIC) y el nitruro de galio (GaN), particularmente en aplicaciones que exigen estabilidad térmica extrema, alto voltaje de descomposición y conductividad térmica superior.

En la actualidad, la oblea de cristal único ALN está disponible comercialmente en tamaños de hasta 2 pulgadas de diámetro. A medida que continúan los esfuerzos de investigación y desarrollo, se espera que los avances en las tecnologías de crecimiento de cristales permitan tamaños de obleas más grandes, mejorando la escalabilidad de producción y la reducción de los costos de las aplicaciones industriales.

Similar al crecimiento de un solo cristal de SIC, los cristales individuales de ALN no pueden cultivarse mediante el método de fusión, pero solo se pueden cultivar mediante el transporte físico de vapor (PVT).

Hay tres estrategias de crecimiento importantes para el crecimiento de PVT de cristal único ALN:

1) Crecimiento de nucleación espontánea

2) Crecimiento heteroepitaxial en sustrato 4H-/6H-SIC

3) Crecimiento homoepitaxial

La oblea de cristal único de ALN se distingue por su banda de banda ultra de 6.2 eV, lo que garantiza un aislamiento eléctrico excepcional y un rendimiento UV profundo incomparable. Estas obleas cuentan con un campo eléctrico de alta ruptura que excede el de SIC y GaN, posicionándolos como la opción óptima para dispositivos electrónicos de alta potencia. Con una impresionante conductividad térmica de aproximadamente 320 w/mk, garantizan una disipación de calor eficiente, un requisito crítico para aplicaciones de alta potencia. ALN no solo es estable química y térmicamente, sino que también mantiene el rendimiento superior en entornos extremos. Su resistencia a la radiación superior lo convierte en una opción inigualable para el espacio y las aplicaciones nucleares. Además, sus notables propiedades piezoeléctricas, una velocidad de sierra alta y un fuerte acoplamiento electromecánico lo establecen como un candidato sobresaliente para dispositivos, filtros y sensores de sierra de nivel GHZ.

La oblea de cristal único ALN encuentra aplicaciones extensas en varios dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento. Sirven como el sustrato ideal para la optoelectrónica ultravioleta profunda (DUV), incluidos los LED UV profundos que operan en el rango de 200-280 nm para la esterilización, la purificación del agua y las aplicaciones biomédicas, así como los diodos láser UV (LDS) utilizados en campos industriales y médicos avanzados. ALN también se usa ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia, particularmente en la radiofrecuencia (RF) y los componentes de microondas, donde su alto voltaje de descomposición y baja dispersión de electrones aseguran un rendimiento superior en amplificadores de potencia y sistemas de comunicación. Además, juega un papel crucial en la electrónica de energía, mejorando la eficiencia de los inversores y convertidores en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y aplicaciones aeroespaciales. Además, las excelentes propiedades piezoeléctricas de Aln y la velocidad de sierra alta lo convierten en un material óptimo para los dispositivos de onda acústica de superficie (sierra) y onda acústica a granel (BAW), que son esenciales para las telecomunicaciones, el procesamiento de señales y las tecnologías de detección. Debido a su conductividad térmica excepcional, ALN también es un material clave en las soluciones de gestión térmica para LED de alta potencia, diodos láser y módulos electrónicos, proporcionando una disipación de calor efectiva y mejora de la longevidad del dispositivo.

La oblea de un solo cristal de Semicorex Representa el futuro de los sustratos semiconductores, que ofrece propiedades eléctricas, térmicas y piezoeléctricas inigualables. Sus aplicaciones en optoelectrónica UV profunda, electrónica de energía y dispositivos de onda acústica los convierten en un material muy buscado para la tecnología de próxima generación. A medida que las capacidades de fabricación continúan mejorando, ALN Wafers se convertirá en un componente indispensable de los dispositivos semiconductores de alto rendimiento, allanando el camino para avances innovadores en múltiples industrias.