Placa receptora

La placa susceptora Semicorex es un componente crucial en el proceso de crecimiento epitaxial, diseñada específicamente para transportar obleas semiconductoras durante la deposición de películas o capas delgadas. En el contexto de la deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD), estas placas están particularmente elaboradas con materiales que pueden soportar altas temperaturas y proporcionar una superficie estable para el crecimiento de capas epitaxiales.

La placa susceptora utilizada en este proceso está construida a partir de grafito recubierto con carburo de silicio (SiC) mediante un proceso MOCVD. El carburo de silicio ofrece una estabilidad térmica excepcional, resistencia mecánica y resistencia a reacciones químicas, lo que lo convierte en una opción ideal para las exigentes condiciones de crecimiento epitaxial.

Durante MOCVD, la placa susceptora desempeña un papel fundamental al transferir calor de manera efectiva a las obleas semiconductoras. La placa absorbe energía del entorno circundante y la irradia hacia las obleas, facilitando la deposición controlada de películas delgadas sobre las superficies de las obleas. Este control preciso de la temperatura es esencial para lograr capas epitaxiales uniformes y de alta calidad, que son cruciales en la producción de dispositivos semiconductores avanzados.

La placa susceptora en los procesos MOCVD, compuesta de grafito recubierto de SiC, sirve como una plataforma confiable para soportar obleas semiconductoras, garantizar una transferencia de calor óptima y contribuir al crecimiento epitaxial exitoso de películas delgadas con las características deseadas para aplicaciones de semiconductores.