Si está buscando un susceptor de grafito de alta calidad recubierto con SiC de alta pureza, el susceptor de barril Semicorex con recubrimiento de SiC en semiconductor es la elección perfecta. Su excepcional conductividad térmica y propiedades de distribución del calor lo hacen ideal para su uso en aplicaciones de fabricación de semiconductores.
El susceptor de barril Semicorex con revestimiento de SiC en semiconductor es un producto de grafito de primera calidad recubierto con SiC de alta pureza, lo que lo convierte en la opción ideal para su uso en entornos corrosivos y de alta temperatura. Su excelente densidad y conductividad térmica proporcionan una distribución de calor y protección excepcionales en aplicaciones de fabricación de semiconductores.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro susceptor de barril con revestimiento de SiC en semiconductor tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.
Parámetros del susceptor de barril con revestimiento de SiC en semiconductores
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
||
Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
|
Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de barril con revestimiento de SiC en semiconductores
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.