Susceptores de obleas recubiertas de sic

Los susceptores de obleas recubiertos de semicorex sic están diseñados para cumplir con los requisitos apremiantes para la fabricación de semiconductores avanzados, especialmente en sistemas de deposición de películas ultrafinas sin presión. Diseñados con precisión, ofrecen un rendimiento térmico superior, durabilidad química y estabilidad mecánica, esencial para entornos de próxima generación para el procesamiento de películas delgadas.

En técnicas de deposición que no emplean presión, como la deposición de la capa atómica (ALD), la deposición de vapor químico (CVD) y la deposición física de vapor (PVD) para películas muy delgadas, los requisitos principales son una distribución uniforme de temperatura y estabilidad de la superficie. La singularidad de nuestro diseño de susceptores radica en el hecho de que incorpora un sustrato poroso de alta pureza que le permite funcionar de manera efectiva bajo condiciones de vacío o cerca de vacío, reduciendo así el estrés térmico y proporcionar transferencia de energía uniforme sobre la superficie de la oblea.

La estructura de múltiples hoyos es una innovación clave: ayuda a reducir la masa térmica, promueve incluso la distribución del flujo de gas y mitiga las fluctuaciones de presión que de otro modo podrían comprometer la uniformidad de deposición. Esta estructura también contribuye a ciclos térmicos y de enfriamiento térmicos más rápidos, mejorando el control general del rendimiento y el proceso.

Ofrecemos una gama de tamaños de susceptores, geometrías y niveles de porosidad para que coincidan con diversos diseños de sistemas de deposición y dimensiones de obleas. La naturaleza modular de nuestro proceso de fabricación permite la personalización para cumplir con los requisitos térmicos, mecánicos y químicos específicos del proceso de película delgada del cliente.

El susceptor de oblea recubierta de semicorex SIC es una solución de alto rendimiento adaptada a los desafíos únicos de la deposición de la película ultrafina sin presión. Su combinación de diseño estructural poroso y recubrimiento SIC robusto proporciona un soporte óptimo para los procesos de fabricación de semiconductores de alta precisión, lo que permite una mejor calidad de película, mayores rendimientos y menores costos operativos.