Entonces las ofertas de recubrimiento

SemicorexRecubrimiento sicEl susceptor plano es un marcador esencial diseñado para procesos de crecimiento epitaxial en la fabricación de semiconductores. Diseñado específicamente para apoyar la deposición de capas epitaxiales en sustratos, este susceptor es ideal para aplicaciones de alto rendimiento, como dispositivos LED, dispositivos de alta potencia y tecnologías de comunicaciones de RF. Al utilizar la técnica CVD (deposición de vapor químico), permite el crecimiento preciso de las capas críticas, como los GAA en sustratos de silicio, SIC en sustratos SIC conductivos y GaN en sustratos SIC semi-aislantes.

Durante el proceso de fabricación de obleas, algunos sustratos de obleas deben construir más capas epitaxiales para facilitar la fabricación de dispositivos. Los ejemplos típicos incluyen dispositivos emisores de luz LED, que requieren la preparación de capas epitaxiales GaAs en sustratos de silicio; Las capas epitaxiales de SIC se cultivan en sustratos SIC conductores para construir dispositivos como SBDS y MOSFET para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y otras aplicaciones de potencia; Las capas epitaxiales GaN se construyen en sustratos SIC semi-insulantes para construir aún más HEMT y otros dispositivos para la comunicación y otras aplicaciones de radiofrecuencia. Este proceso es inseparable de los equipos CVD.

En el equipo CVD, el sustrato no se puede colocar directamente sobre metal o simplemente en una base para deposición epitaxial, ya que implica varios factores como la dirección del flujo de gas (horizontal, vertical), temperatura, presión, fijación y contaminantes que caen. Por lo tanto, se necesita una base, y luego el sustrato se coloca en una bandeja, y luego se realiza la deposición epitaxial en el sustrato utilizandoTecnología de CVD. Esta base es una base de grafito recubierta de SIC (también llamada bandeja).

Aplicaciones

ElRecubrimiento sicEl susceptor plano se emplea en diversas industrias para diferentes aplicaciones:

Manufactura LED: en la producción de LED basados ​​en GaAs, el susceptor posee sustratos de silicio durante el proceso de ECV, asegurando que la capa epitaxial GaAs se deposite con precisión.

Dispositivos de alta potencia: para dispositivos como MOSFET basados ​​en SIC y diodos de barrera Schottky (SBDS), el susceptor respalda el crecimiento epitaxial de las capas SIC en sustratos SIC conductores, esenciales para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente.

Dispositivos de comunicación de RF: en el desarrollo de hemts GaN en sustratos SIC semi-aislantes, el susceptor proporciona la estabilidad necesaria para cultivar capas precisas que son críticas para aplicaciones de RF de alta frecuencia y alta frecuencia.

La versatilidad del susceptor plano de recubrimiento SIC lo convierte en una herramienta vital en el crecimiento de las capas epitaxiales para estas diversas aplicaciones.

Como uno de los componentes centrales del equipo MOCVD, el susceptor de grafito es el portador y el elemento de calentamiento del sustrato, que determina directamente la uniformidad y la pureza del material de la película delgada. Por lo tanto, su calidad afecta directamente la preparación de obleas epitaxiales. Al mismo tiempo, es muy fácil desgastarse con el aumento de los tiempos de uso y los cambios en las condiciones de trabajo, y es un consumible.

El susceptor plano de recubrimiento SIC está diseñado para satisfacer las estrictas demandas del proceso CVD:

• Flujo de gas optimizado: el diseño plano del susceptor ayuda a mantener un flujo de gas constante alrededor del sustrato, lo cual es crítico para la deposición uniforme de las capas epitaxiales.
• Control de temperatura: con su alta conductividad térmica, el susceptor plano de recubrimiento SiC permite un control preciso de la temperatura durante el proceso de deposición. Esto asegura que el sustrato permanezca dentro del rango de temperatura requerido, lo cual es esencial para lograr las propiedades del material deseadas.
• Manejo fácil: la superficie plana y lisa del susceptor facilita el manejar y cargar sustratos de cargar/descargar sin causar daños a la oblea delicada o introducir contaminantes.

Al proporcionar una plataforma estable, limpia y térmicamente eficiente para el crecimiento epitaxial, el susceptor plano de recubrimiento SIC mejora significativamente el rendimiento general y el rendimiento del proceso CVD.

SemicorexRecubrimiento sicEl susceptor plano está diseñado para cumplir con los más altos estándares de precisión y calidad, lo que garantiza un rendimiento sobresaliente en procesos críticos de fabricación de semiconductores. Probamos entregar productos consistentes, resultados confiables en sistemas de CVD, lo que empodera la producción de dispositivos semiconductores superiores. Con una notable resistencia química, un manejo térmico excepcional y una durabilidad incomparable, el recubrimiento semicorex sic susceptor se destaca como la opción definitiva para los fabricantes con el objetivo de optimizar los procesos de epitaxia de obleas.

El recubrimiento semicorex sic susceptor es un componente indispensable en la fabricación de dispositivos semiconductores que requieren un crecimiento epitaxial. Su durabilidad superior, la resistencia a las tensiones térmicas y químicas, y la capacidad de mantener condiciones precisas durante el proceso de deposición lo hacen esencial para los sistemas modernos de ECV. Con el susceptor plano de recubrimiento Semicorex Sic, los fabricantes obtienen una solución robusta para lograr las capas epitaxiales de la más alta calidad, lo que garantiza un excelente rendimiento en numerosas aplicaciones de semiconductores. Asóciese con Semicorex para elevar su proceso de producción con productos meticulosamente diseñados para una eficiencia y confiabilidad óptimas.