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Anillo de enfoque de procesamiento de plasma

Anillo de enfoque de procesamiento de plasma

El anillo de enfoque de procesamiento de plasma Semicorex está especialmente diseñado para satisfacer las altas demandas del procesamiento de grabado con plasma en la industria de semiconductores. Nuestros componentes avanzados con revestimiento de carburo de silicio de alta pureza están diseñados para soportar entornos extremos y son adecuados para su uso en diversas aplicaciones, incluidas capas de carburo de silicio y semiconductores epitaxia.

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Descripción del Producto

Nuestro anillo de enfoque de procesamiento de plasma es altamente estable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos, lo que los convierte en una opción ideal para su uso en cámaras de grabado por plasma (o grabado en seco). Diseñados para mejorar la uniformidad del grabado alrededor del borde o perímetro de la oblea, nuestros anillos de enfoque o anillos de borde están diseñados para minimizar la contaminación y el mantenimiento no programado.

Nuestro revestimiento de SiC es un revestimiento de carburo de silicio denso y resistente al desgaste con altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD). Esto garantiza que nuestros anillos de enfoque de SiC tengan una calidad y durabilidad superiores, lo que los convierte en una opción confiable para sus necesidades de procesamiento de grabado con plasma.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro anillo de enfoque de procesamiento de plasma.


Parámetros del anillo de enfoque de procesamiento de plasma

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del anillo de enfoque de procesamiento de plasma

- Recubrimientos CVD de Carburo de Silicio para mejorar la vida útil.

- Aislamiento térmico fabricado en carbono rígido purificado de altas prestaciones.

- Calentador y placa de carbono/compuesto de carbono. - Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Recubrimiento de SiC y grafito de alta pureza para resistencia a perforaciones y mayor vida útil



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