Receptor multibolsillo SiC

La base del Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor es el grafito isotrópico de pureza ultra alta, conocido por su estabilidad térmica y resistencia al choque térmico. Este material base se mejora aún más mediante la aplicación de un recubrimiento de SiC depositado por CVD meticulosamente controlado. Esta combinación ofrece una sinergia única de propiedades:

Resistencia química incomparable:La capa superficial de SiC exhibe una resistencia excepcional a la oxidación, la corrosión y el ataque químico incluso a temperaturas elevadas inherentes a los procesos de crecimiento epitaxial. Esta inercia garantiza que el susceptor multibolsillo de SiC mantenga su integridad estructural y la calidad de la superficie, minimizando el riesgo de contaminación y garantizando una vida útil prolongada.

Estabilidad térmica y uniformidad excepcionales:La estabilidad inherente del grafito isotrópico, junto con el recubrimiento uniforme de SiC, garantiza una distribución uniforme del calor en toda la superficie del susceptor. Esta uniformidad es fundamental para lograr perfiles de temperatura homogéneos en toda la oblea durante la epitaxia, lo que se traduce directamente en un crecimiento cristalino superior y una uniformidad de la película.

Eficiencia de proceso mejorada:La robustez y longevidad del SiC Multi Pocket Susceptor contribuyen a una mayor eficiencia del proceso. La reducción del tiempo de inactividad para limpieza o reemplazo se traduce en un mayor rendimiento y un menor costo general de propiedad, factores cruciales en los exigentes entornos de fabricación de semiconductores.

Las propiedades superiores del susceptor multibolsillo de SiC se traducen directamente en beneficios tangibles en la fabricación de obleas epitaxiales:

Calidad de oblea mejorada:La mayor uniformidad de la temperatura y la inercia química contribuyen a reducir los defectos y mejorar la calidad del cristal en la capa epitaxial. Esto se traduce directamente en un mejor rendimiento y rendimiento de los dispositivos semiconductores finales.

Mayor rendimiento del dispositivo:La capacidad de lograr un control preciso sobre los perfiles de dopaje y los espesores de las capas durante la epitaxia es crucial para optimizar el rendimiento del dispositivo. La plataforma estable y uniforme proporcionada por el SiC Multi Pocket Susceptor permite a los fabricantes ajustar las características del dispositivo para aplicaciones específicas.

Habilitación de aplicaciones avanzadas:A medida que la industria de los semiconductores avanza hacia geometrías de dispositivos más pequeñas y arquitecturas más complejas, la demanda de obleas epitaxiales de alto rendimiento sigue aumentando. Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor desempeña un papel crucial para permitir estos avances al proporcionar la plataforma necesaria para un crecimiento epitaxial preciso y repetible.