Deposición epitaxial de silicio en reactor de barril

Si necesita un susceptor de grafito de alto rendimiento para su uso en aplicaciones de fabricación de semiconductores, el reactor de barril de deposición epitaxial de silicio Semicorex es la opción ideal. Su revestimiento de SiC de alta pureza y su excepcional conductividad térmica brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que lo convierte en la opción ideal para un rendimiento confiable y consistente incluso en los entornos más desafiantes.

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Descripción del Producto

Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor es un producto ideal para el crecimiento de capas epixiales en chips de obleas. Es un portador de grafito recubierto de SiC de alta pureza que es altamente resistente al calor y la corrosión, lo que lo hace perfecto para su uso en entornos extremos. Este susceptor de barril es adecuado para LPE y proporciona un excelente rendimiento térmico, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Además, garantiza el mejor patrón de flujo laminar de gas y evita que la contaminación o las impurezas se difundan en la oblea.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro reactor de deposición epitaxial de silicio en barril tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros de la deposición epitaxial de silicio en un reactor de barril

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de la deposición epitaxial de silicio en un reactor de barril

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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