Portadores de obleas RTA SiC

El recocido térmico rápido es una técnica de procesamiento térmico ampliamente utilizada en la fabricación de semiconductores. Utilizando lámparas infrarrojas halógenas como fuente de calor, calienta obleas o materiales semiconductores rápidamente a temperaturas entre 300 ℃ y 1200 ℃ con una velocidad de calentamiento extremadamente rápida, seguida de un enfriamiento rápido. El rápido proceso de recocido térmico puede eliminar tensiones residuales y defectos dentro de obleas y materiales semiconductores, mejorando la calidad y el rendimiento del material. Los portadores de obleas de SiC RTA son el componente de transporte indispensable ampliamente utilizado en el proceso RTA, que puede soportar de manera estable los materiales de oblea y semiconductores durante el funcionamiento y garantiza un efecto de tratamiento térmico constante.

Las ventajas de los soportes de obleas Semicorex RTA SiC

1. Resistencia mecánica y dureza superiores

Los portadores de obleas Semicorex RTA SiC ofrecen excelente resistencia mecánica y dureza y son capaces de soportar diversas tensiones mecánicas en condiciones duras de RTA sin dejar de ser dimensionalmente estables y duraderos. Con su excelente dureza, la superficie de los soportes de obleas RTA SiC es menos propensa a rayarse, lo que proporciona una superficie de soporte plana y lisa que previene eficazmente los daños a las obleas causados ​​por los rayones del soporte.

2. Conductividad térmica excepcional

Los portadores de obleas Semicorex RTA SiC poseen una conductividad térmica excepcional, lo que les permite dispersar y conducir el calor de manera efectiva. Pueden ofrecer un control preciso de la temperatura durante el procesamiento térmico rápido, lo que reduce significativamente el riesgo de daño térmico a las obleas y mejora la uniformidad y consistencia del proceso de recocido.

3. Excelente estabilidad térmica

El carburo de silicio presenta un punto de fusión de alrededor de 2700 °C y mantiene una estabilidad excepcional a temperaturas de funcionamiento continuo de 1350 a 1600 °C. Esto le da a SemicorexPortadores de obleas RTA SiCEstabilidad térmica superior para condiciones de funcionamiento RTA de alta temperatura. Además, con su bajo coeficiente de expansión térmica, los portadores de obleas Semicorex RTA SiC pueden evitar grietas o daños causados ​​por la expansión y contracción térmica desigual durante los ciclos rápidos de calentamiento y enfriamiento.

4. Excelente rendimiento de baja contaminación

Elaborado con materiales de alta pureza cuidadosamente seleccionados.carburo de silicio, Los portadores de obleas Semicorex RTA SiC presentan un bajo contenido de impurezas. Gracias a su notable resistencia química, los portadores de obleas Semicorex RTA SiC pueden evitar la corrosión de los gases de proceso durante el recocido térmico rápido, minimizando así la contaminación de las obleas causada por los reactivos y cumpliendo con los estrictos requisitos de limpieza de los procesos de fabricación de semiconductores.