Segmento de cubierta SiC MOCVD

El segmento de cubierta Semicorex SiC MOCVD aprovecha una combinación sinérgica de materiales seleccionados por su rendimiento bajo temperaturas extremas y en presencia de precursores altamente reactivos. El núcleo de cada segmento se construye a partir deGrafito isostático de alta pureza, con un contenido de cenizas inferior a 5 ppm. Esta pureza excepcional minimiza los riesgos potenciales de contaminación, asegurando la integridad de las epicapas de SiC que se están cultivando. Excepto por eso, una aplicación precisaRecubrimiento de SiC por deposición química de vapor (CVD)Forma una barrera protectora sobre el sustrato de grafito. Esta capa de alta pureza (≥ 6N) exhibe una resistencia excepcional a los precursores agresivos comúnmente utilizados en la epitaxia de SiC.

Características clave:

Estas características del material se traducen en beneficios tangibles dentro del exigente entorno de SiC MOCVD:

Resiliencia inquebrantable a la temperatura: la resistencia combinada del segmento de cubierta SiC MOCVD garantiza la integridad estructural y evita la deformación o deformación incluso a las temperaturas extremas (a menudo superiores a 1500 °C) requeridas para la epitaxia de SiC.

Resistencia al ataque químico: la capa CVD SiC actúa como un escudo robusto contra la naturaleza corrosiva de los precursores comunes de epitaxia de SiC, como el silano y el trimetilaluminio. Esta protección mantiene la integridad del segmento de cubierta SiC MOCVD durante un uso prolongado, minimizando la generación de partículas y garantizando un entorno de proceso más limpio.

Promoción de la uniformidad de la oblea: la estabilidad térmica inherente y la uniformidad del segmento de cubierta SiC MOCVD contribuyen a un perfil de temperatura distribuido más uniformemente en toda la oblea durante la epitaxia. Esto da como resultado un crecimiento más homogéneo y una uniformidad superior de las epicapas de SiC depositadas.

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Beneficios operativos:

Más allá de las mejoras en los procesos, el segmento de cubierta Semicorex SiC MOCVD ofrece importantes ventajas operativas:

Vida útil prolongada: la sólida selección y construcción de materiales se traduce en una vida útil prolongada para los segmentos de la cubierta, lo que reduce la necesidad de reemplazos frecuentes. Esto minimiza el tiempo de inactividad del proceso y contribuye a reducir los costos operativos generales.

Epitaxia de alta calidad habilitada: en última instancia, el avanzado segmento de cubierta SiC MOCVD contribuye directamente a la producción de epicapas de SiC superiores, allanando el camino para dispositivos de SiC de mayor rendimiento utilizados en electrónica de potencia, tecnología de RF y otras aplicaciones exigentes.