Tubo de horno de difusión de SiC

Alta resistencia a la flexión: el tubo de horno de difusión de SiC Semicorex cuenta con una resistencia a la flexión superior a 200 MPa, lo que garantiza un rendimiento mecánico excepcional y una integridad estructural en condiciones de alta tensión típicas de los procesos de fabricación de semiconductores.

Excelente resistencia a la oxidación: estos tubos de horno de difusión de SiC exhiben una resistencia a la oxidación superior, la mejor entre todas las cerámicas sin óxido. Esta característica garantiza estabilidad y rendimiento a largo plazo en ambientes de alta temperatura, reduciendo el riesgo de degradación y extendiendo la vida operativa de los tubos.

Excelente resistencia a la corrosión: La inercia química del tubo del horno de difusión de SiC proporciona una excelente resistencia a la corrosión, lo que hace que estos tubos sean ideales para su uso en entornos químicos hostiles que a menudo se encuentran en el procesamiento de semiconductores.

Alta resistencia al desgaste: el tubo del horno de difusión de SiC es altamente resistente al desgaste, lo cual es crucial para mantener la estabilidad dimensional y reducir los requisitos de mantenimiento durante períodos prolongados de uso en condiciones abrasivas.

Bajo coeficiente de fricción: El bajo coeficiente de fricción del tubo del horno de difusión de SiC reduce el desgaste tanto de los tubos como de las obleas, lo que garantiza un funcionamiento suave y minimiza los riesgos de contaminación durante el procesamiento de semiconductores.

Propiedades mecánicas superiores a alta temperatura: el tubo del horno de difusión de SiC demuestra las mejores propiedades mecánicas a alta temperatura entre los materiales cerámicos conocidos, incluida una excelente resistencia y resistencia a la fluencia. Esto lo hace particularmente adecuado para aplicaciones que requieren estabilidad a largo plazo a temperaturas elevadas.

Con recubrimiento CVD: el recubrimiento de SiC con deposición química de vapor (CVD) de Semicorex logra un nivel de pureza superior al 99,9995 %, con un contenido de impurezas inferior a 5 ppm e impurezas metálicas nocivas inferiores a 1 ppm. El proceso de recubrimiento CVD garantiza que los tubos cumplan con los estrictos requisitos de estanqueidad al vacío de 2-3 Torr, esenciales para entornos de fabricación de semiconductores de alta precisión.

Aplicación en hornos de difusión: estos tubos de horno de difusión de SiC están diseñados específicamente para su uso en hornos de difusión, donde desempeñan un papel fundamental en procesos de alta temperatura como el dopaje y la oxidación. Las propiedades avanzadas de sus materiales garantizan que puedan soportar las exigentes condiciones de estos procesos, mejorando así la eficiencia y confiabilidad de la producción de semiconductores.