Placa portadora de grabado PSS para semiconductores

La placa portadora de grabado PSS de Semicorex para semiconductores está especialmente diseñada para entornos de limpieza química agresivos y de alta temperatura necesarios para el crecimiento epitaxial y los procesos de manipulación de obleas. Nuestra placa portadora de grabado PSS ultrapura para semiconductores está diseñada para soportar obleas durante las fases de deposición de películas delgadas como MOCVD y susceptores de epitaxia, panqueques o plataformas satelitales. Nuestro soporte recubierto de SiC tiene alta resistencia al calor y a la corrosión, excelentes propiedades de distribución del calor y una alta conductividad térmica. Proporcionamos soluciones rentables a nuestros clientes y nuestros productos cubren muchos mercados europeos y americanos. Semicorex espera ser su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

La placa portadora de grabado PSS para semiconductores de Semicorex es la solución ideal para fases de deposición de películas delgadas como MOCVD, susceptores de epitaxia, plataformas tipo panqueque o satélites y procesamiento de manipulación de obleas, como el grabado. Nuestro soporte de grafito ultrapuro está diseñado para soportar obleas y soportar limpiezas químicas agresivas y entornos de alta temperatura. El soporte recubierto de SiC tiene una alta resistencia al calor y a la corrosión, excelentes propiedades de distribución del calor y una alta conductividad térmica. Nuestros productos son rentables y tienen una buena ventaja de precio.

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Parámetros de la placa portadora de grabado PSS para semiconductores

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de la placa portadora de grabado PSS para semiconductores

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.

Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C

Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.

Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.

Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar

- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.

- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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