Susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC

Con su alto punto de fusión, resistencia a la oxidación y a la corrosión, el susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC Semicorex es la opción ideal para su uso en aplicaciones de crecimiento de cristales individuales. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona excelentes propiedades de planitud y distribución de calor, lo que lo convierte en una opción ideal para entornos de alta temperatura.

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Descripción del Producto

El susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC Semicorex es la elección perfecta para la formación de capas epitaxiales en obleas semiconductoras, gracias a su excepcional conductividad térmica y propiedades de distribución de calor. Su revestimiento de SiC de alta pureza proporciona una protección superior incluso en los entornos corrosivos y de alta temperatura más exigentes.
Nuestro susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC.

Parámetros del susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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