Susceptor de barril para epitaxia en fase líquida

Si necesita un susceptor de grafito que pueda funcionar de manera confiable y consistente incluso en los entornos corrosivos y de alta temperatura más exigentes, el susceptor de barril Semicorex para epitaxia en fase líquida es la elección perfecta. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona una excelente conductividad térmica y distribución del calor, lo que garantiza un rendimiento excepcional en aplicaciones de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

El susceptor de barril Semicorex para epitaxia en fase líquida es la opción ideal para aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren alta resistencia al calor y a la corrosión. Su revestimiento de SiC de alta pureza y su excepcional conductividad térmica brindan propiedades superiores de protección y distribución del calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.

Nuestro susceptor de barril para epitaxia en fase líquida está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo laminar de gas, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor de barril para epitaxia en fase líquida.

Parámetros del susceptor de barril para epitaxia en fase líquida

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de barril para epitaxia en fase líquida

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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