Cómo hacer el proceso CMP

Proceso de CMP:

1. Arreglar elobleaen la parte inferior del cabezal de pulido y coloque la almohadilla de pulido en el disco de pulido;

2. El cabezal de pulido giratorio presiona la almohadilla de pulido giratoria con cierta presión y se agrega un líquido de pulido fluido compuesto de partículas nanoabrasivas y una solución química entre la superficie de la oblea de silicio y la almohadilla de pulido. El líquido de molienda se recubre uniformemente bajo la transmisión de la almohadilla de pulido y la fuerza centrífuga, formando una película líquida entre la oblea de silicio y la almohadilla de pulido;

3. El aplanamiento se logra mediante el proceso alternativo de eliminación química de la película y eliminación mecánica de la película.

Principales parámetros técnicos de CMP:

Tasa de molienda: el espesor del material eliminado por unidad de tiempo.

Planitud: (la diferencia entre la altura del escalón antes y después de CMP en un punto determinado de la oblea de silicio/la altura del escalón antes de CMP) * 100%,

Uniformidad de molienda: incluida la uniformidad dentro de la oblea y la uniformidad entre oblea. La uniformidad dentro de la oblea se refiere a la consistencia de las velocidades de molienda en diferentes posiciones dentro de una única oblea de silicio; La uniformidad entre obleas se refiere a la consistencia de las velocidades de molienda entre diferentes obleas de silicio en las mismas condiciones CMP.

Cantidad de defectos: refleja la cantidad y el tipo de diversos defectos superficiales generados durante el proceso CMP, que afectarán el rendimiento, la confiabilidad y el rendimiento de los dispositivos semiconductores. Incluyendo principalmente rayones, depresiones, erosión, residuos y contaminación por partículas.

Aplicaciones CMP

En todo el proceso de fabricación de semiconductores, desdeoblea de silicioDesde la fabricación, pasando por la fabricación de obleas hasta el envasado, el proceso CMP deberá utilizarse repetidamente.

En el proceso de fabricación de obleas de silicio, después de cortar la varilla de cristal en obleas de silicio, será necesario pulirla y limpiarla para obtener una oblea de silicio monocristalino como un espejo.

En el proceso de fabricación de obleas, mediante implantación de iones, deposición de películas delgadas, litografía, grabado y enlaces de cableado multicapa, para garantizar que cada capa de la superficie de fabricación alcance una planitud global a nivel nanométrico, a menudo es necesario utilizar el proceso CMP repetidamente.

En el campo del embalaje avanzado, los procesos CMP se introducen y utilizan cada vez más en grandes cantidades, entre los cuales a través de la tecnología de silicio vía (TSV), fan-out, embalaje 2.5D, 3D, etc., se utilizará una gran cantidad de procesos CMP.

Según el tipo de material pulido, dividimos el CMP en tres tipos:

1. Sustrato, principalmente material de silicio.

2. Metal, incluida la capa de interconexión de metal de aluminio/cobre, Ta/Ti/TiN/TiNxCy y otras capas de barrera de difusión, capa de adhesión.

3. Dieléctricos, incluidos dieléctricos entre capas como SiO2, BPSG, PSG, capas de pasivación como SI3N4/SiOxNy y capas de barrera.