Parámetros clave de los sustratos de carburo de silicio (SiC)

Parámetros de celosía:Garantizar que la constante de red del sustrato coincida con la de la capa epitaxial que se va a cultivar es crucial para minimizar los defectos y el estrés.

Secuencia de apilamiento:La estructura macroscópica deSicEstá formado por átomos de silicio y carbono en una proporción de 1:1. Sin embargo, diferentes disposiciones de las capas atómicas dan como resultado diversas estructuras cristalinas. Por lo tanto,Sicpresenta numerosos politipos, como3C-SiC, 4H-SiC y 6H-Sic, correspondiente a secuencias de apilamiento como ABC, ABCB, ABCACB, respectivamente.

Dureza de Mohs:Determinar la dureza del sustrato es fundamental ya que afecta la facilidad de procesamiento y la resistencia al desgaste.

Densidad:La densidad afecta la resistencia mecánica y las propiedades térmicas delsustrato.

Coeficiente de expansión térmica:Esto se refiere a la velocidad a la que elsustratoLa longitud o el volumen de una sustancia aumenta en relación con sus dimensiones originales cuando la temperatura aumenta un grado Celsius. La compatibilidad de los coeficientes de expansión térmica del sustrato y la capa epitaxial bajo variaciones de temperatura influye en la estabilidad térmica del dispositivo.

Índice de refracción:Para aplicaciones ópticas, el índice de refracción es un parámetro crítico en el diseño de dispositivos optoelectrónicos.

Dielectric Constant: Esto afecta las propiedades capacitivas del dispositivo.

Conductividad térmica:Fundamental para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura, la conductividad térmica influye en la eficiencia de enfriamiento del dispositivo.

Banda prohibida:La banda prohibida representa la diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción en materiales semiconductores. Esta diferencia de energía determina si los electrones pueden pasar de la banda de valencia a la banda de conducción. Los materiales de banda prohibida ancha requieren más energía para excitar las transiciones electrónicas.

Campo eléctrico de avería:Este es el voltaje máximo que puede soportar un material semiconductor.

Velocidad de deriva de saturación:Esto se refiere a la velocidad promedio máxima que los portadores de carga pueden alcanzar en un material semiconductor cuando se someten a un campo eléctrico. Cuando la intensidad del campo eléctrico aumenta hasta cierto punto, la velocidad de la portadora ya no aumenta con nuevos aumentos en el campo, alcanzando lo que se conoce como velocidad de deriva de saturación.**

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