Receptor de epitaxia MOCVD

El susceptor de epitaxia MOCVD de Semicorex se ha convertido en un componente crítico en la epitaxia de deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD), lo que permite la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento con una eficiencia y precisión excepcionales. Su combinación única de propiedades materiales lo hace perfectamente adecuado para los exigentes entornos térmicos y químicos que se encuentran durante el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos.**

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Descripción del Producto

Ventajas para aplicaciones de epitaxia exigentes:

Pureza ultraalta:El MOCVD Epitaxy Susceptor está diseñado para lograr niveles de pureza ultra altos, minimizando el riesgo de que se incorporen impurezas no deseadas en las capas epitaxiales en crecimiento. Esta pureza excepcional es crucial para mantener una alta movilidad de los portadores, lograr perfiles de dopaje óptimos y, en última instancia, crear dispositivos semiconductores de alto rendimiento.

Excepcional resistencia al choque térmico:El susceptor de epitaxia MOCVD presenta una notable resistencia al choque térmico, soportando rápidos cambios de temperatura y gradientes inherentes al proceso MOCVD. Esta estabilidad garantiza un rendimiento consistente y confiable durante las fases críticas de calentamiento y enfriamiento, minimizando el riesgo de curvatura de la oblea, defectos inducidos por estrés e interrupciones del proceso.

Resistencia química superior:El susceptor de epitaxia MOCVD demuestra una resistencia excepcional a una amplia gama de gases reactivos y productos químicos utilizados en MOCVD, incluidos subproductos corrosivos que pueden formarse a temperaturas elevadas. Esta inercia evita la contaminación de las capas epitaxiales y garantiza la pureza del material semiconductor depositado, fundamental para lograr las propiedades eléctricas y ópticas deseadas.

Disponibilidad completax Formas: El susceptor de epitaxia MOCVD se puede mecanizar con precisión en formas y geometrías complejas para optimizar la dinámica del flujo de gas y la uniformidad de la temperatura dentro del reactor MOCVD. Esta capacidad de diseño personalizado permite el calentamiento uniforme de las obleas del sustrato, minimizando las variaciones de temperatura que pueden provocar un crecimiento epitaxial y un rendimiento del dispositivo inconsistentes.