2024-05-13
Actualmente, la mayoría de los fabricantes de sustratos de SiC utilizan un nuevo diseño de proceso de campo térmico de crisol con cilindros de grafito poroso: colocan materias primas de partículas de SiC de alta pureza entre la pared del crisol de grafito y el cilindro de grafito poroso, mientras se profundiza todo el crisol y se aumenta el diámetro del crisol. La ventaja es que mientras aumenta el volumen de carga, también aumenta el área de evaporación de las materias primas. El nuevo proceso resuelve el problema de los defectos cristalinos, causados por la recristalización de la parte superior de la materia prima a medida que avanza el crecimiento en la superficie del material fuente, afectando el flujo de sublimación del material. El nuevo proceso también reduce la sensibilidad de la distribución de temperatura en el área de la materia prima al crecimiento de cristales, mejora y estabiliza la eficiencia de transferencia de masa, reduce el impacto de las inclusiones de carbono en las últimas etapas de crecimiento y mejora aún más la calidad de los cristales de SiC. El nuevo proceso también utiliza un método de fijación de soporte de cristal sin semillas que no se adhiere al cristal semilla, lo que permite una expansión térmica libre y favorece el alivio del estrés. Este nuevo proceso optimiza el campo térmico y mejora enormemente la eficiencia de la expansión del diámetro.
La calidad y el rendimiento de los monocristales de SiC obtenidos mediante este nuevo proceso dependen en gran medida de las propiedades físicas del grafito crisol y del grafito poroso. La demanda urgente de grafito poroso de alto rendimiento no sólo hace que el grafito poroso sea extremadamente caro, sino que también provoca una grave escasez en el mercado.
Requisitos básicos de rendimiento degrafito poroso
(1) Distribución adecuada del tamaño de poro;
(2) Porosidad suficientemente alta;
(3) Resistencia mecánica que cumpla con los requisitos de procesamiento y uso.
Semicorex ofrece alta calidadgrafito porosopartes. Si tiene alguna consulta o necesita detalles adicionales, no dude en ponerse en contacto con nosotros.
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