Conociendo el MOCVD

MOCVD es una nueva tecnología de crecimiento epitaxial en fase de vapor desarrollada sobre la base del crecimiento epitaxial en fase de vapor (VPE). MOCVD utiliza compuestos orgánicos de elementos III y II e hidruros de elementos V y VI como materiales fuente de crecimiento de cristales. Realiza epitaxia en fase de vapor sobre el sustrato mediante una reacción de descomposición térmica para hacer crecer varios grupos principales III-V, materiales monocristalinos de capa delgada de semiconductores compuestos de los subgrupos II-VI y sus soluciones sólidas de múltiples elementos. Por lo general, el crecimiento de cristales en el sistema MOCVD se lleva a cabo en una cámara de reacción de pared fría de cuarzo (acero inoxidable) con H2 fluyendo a presión normal o baja (10-100 Torr). La temperatura del sustrato es de 500-1200 °C y la base de grafito se calienta con CC (el sustrato del sustrato está encima de la base de grafito) y se burbujea H2 a través de una fuente líquida con temperatura controlada para transportar compuestos organometálicos al zona de crecimiento.

MOCVD tiene una amplia gama de aplicaciones y puede hacer crecer casi todos los compuestos y semiconductores de aleaciones. Es muy adecuado para cultivar diversos materiales de heteroestructura. También puede desarrollar capas epitaxiales ultrafinas y obtener transiciones de interfaz muy pronunciadas. El crecimiento es fácil de controlar y puede crecer con una pureza muy alta. Materiales de alta calidad, la capa epitaxial tiene buena uniformidad en un área grande y se puede producir a gran escala.

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