Bandeja de oblea de SiC

La bandeja de oblea Semicorex SiC, que funciona como elemento clave en el aparato MOCVD, sostiene y gestiona térmicamente sustratos monocristalinos. Sus características de rendimiento excepcionales, que incluyen estabilidad y uniformidad térmica superiores, así como inhibición de la corrosión, etc., son cruciales para el crecimiento de alta calidad de los materiales epitaxiales. Estos atributos garantizan uniformidad y pureza constantes en capas de película delgada.

Mejorada con un recubrimiento de SiC, la bandeja de oblea de SiC mejora significativamente la conductividad térmica, facilitando una distribución rápida y uniforme del calor, vital para un crecimiento epitaxial uniforme. La capacidad de la bandeja de oblea de SiC para absorber e irradiar calor de manera eficiente mantiene una temperatura estable y constante, esencial para la deposición precisa de películas delgadas. Esta distribución uniforme de la temperatura es fundamental para producir capas epitaxiales de alta calidad, que son esenciales para el rendimiento de los dispositivos semiconductores avanzados.

El rendimiento confiable y la longevidad de la bandeja de oblea de SiC reducen la frecuencia de los reemplazos, minimizando el tiempo de inactividad y los costos de mantenimiento. Su construcción robusta y sus capacidades operativas superiores mejoran la eficiencia del proceso, aumentando así la productividad y la rentabilidad en la fabricación de semiconductores.

Además, la bandeja de oblea Semicorex SiC exhibe una excelente resistencia a la oxidación y la corrosión a altas temperaturas, lo que garantiza aún más su durabilidad y confiabilidad. Su alta resistencia térmica, marcada por un importante punto de fusión, le permite soportar las rigurosas condiciones térmicas inherentes a los procesos de fabricación de semiconductores.