Portadores de placas recubiertas de SiC para MOCVD

Nuestros soportes de placas recubiertas de SiC para MOCVD presentan una alta pureza, lo que los convierte en una excelente opción para quienes buscan un soporte que sea altamente uniforme y consistente en sus propiedades.
Nuestros soportes de placas recubiertos de SiC para MOCVD están fabricados con un recubrimiento de carburo de silicio de alta pureza sobre grafito, lo que lo hace altamente resistente a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C. El proceso de deposición química de vapor CVD utilizado en su fabricación garantiza una alta pureza y una excelente resistencia a la corrosión. Es altamente resistente a la corrosión, con una superficie densa y partículas finas, lo que lo hace resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos. Su resistencia a la oxidación a altas temperaturas garantiza la estabilidad a altas temperaturas de hasta 1600 °C.

Parámetros de los portadores de placas recubiertas de SiC para MOCVD

Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.