Receptor de epitaxia SiC

Elaborado con precisión y diseñado para brindar confiabilidad, el susceptor de epitaxia de SiC presenta alta resistencia a la corrosión, alta conductividad térmica, resistencia al choque térmico y alta estabilidad química, lo que le permite funcionar de manera efectiva dentro de una atmósfera epitaxial. Por lo tanto, el susceptor de epitaxia de SiC se considera un núcleo y Componente crucial en el equipo MOCVD. Semicorex se compromete a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El susceptor de epitaxia de SiC es un componente crítico utilizado en equipos MOCVD para soportar y calentar sustratos monocristalinos. Sus parámetros de rendimiento superiores, como la estabilidad térmica y la uniformidad térmica, juegan un papel decisivo en la calidad del crecimiento del material epitaxial, asegurando altos niveles de uniformidad y pureza en materiales de película delgada.

El susceptor de epitaxia de SiC posee una densidad excelente, lo que proporciona una protección eficaz en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura. Además, su alto nivel de planitud superficial cumple perfectamente con los requisitos para el crecimiento de monocristales en la superficie del sustrato.

El coeficiente mínimo de diferencias de expansión térmica en el susceptor de epitaxia de SiC mejora significativamente la fuerza de unión entre el sustrato epitaxial y el material de recubrimiento, reduciendo así la probabilidad de agrietamiento después de experimentar ciclos térmicos de alta temperatura.

Al mismo tiempo, presenta una alta conductividad térmica, lo que facilita una distribución rápida y uniforme del calor para el crecimiento de la viruta. Además, su alto punto de fusión, resistencia a la temperatura, resistencia a la oxidación y resistencia a la corrosión permiten un funcionamiento estable en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

Como componente crucial dentro de la cámara de reacción del equipo MOCVD, el susceptor de epitaxia de SiC debe poseer ventajas como resistencia a altas temperaturas, conductividad térmica uniforme, buena estabilidad química y fuerte resistencia al choque térmico. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor cumple con todos estos requisitos.