Disco de epitaxia recubierto de SiC

Existen amplias propiedades del disco de epitaxia recubierto de SiC de Semicorex que lo convierten en un componente indispensable en la fabricación de semiconductores, donde la precisión, durabilidad y robustez de los equipos son fundamentales para el éxito de los dispositivos semiconductores de alta tecnología. En Semicorex nos dedicamos a fabricar y suministrar discos de epitaxia recubiertos de SiC de alto rendimiento que fusionan calidad con rentabilidad.**

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Descripción del Producto

El disco de epitaxia recubierto de SiC de Semicorex presenta una gama de ventajas incomparables dentro de la industria de los semiconductores, que se pueden detallar más a fondo de la siguiente manera:

Bajo coeficiente de expansión térmica: el disco de epitaxia recubierto de SiC cuenta con un coeficiente de expansión térmica notablemente bajo, lo cual es fundamental en el procesamiento de semiconductores donde la estabilidad dimensional es esencial. Este atributo garantiza que el disco de epitaxia recubierto de SiC experimente una expansión o contracción mínima bajo variaciones de temperatura, manteniendo la integridad de la estructura semiconductora durante los procesos de alta temperatura.

Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: Diseñado con una notable resistencia a la oxidación, este disco de epitaxia recubierto de SiC conserva su integridad estructural a temperaturas elevadas, lo que lo convierte en un componente ideal para aplicaciones dentro de procesos de semiconductores de alta temperatura donde la estabilidad térmica es crucial.

Superficie densa y de poros finos: la superficie del disco de epitaxia recubierto de SiC se caracteriza por su densidad y porosidad fina, lo que proporciona una textura superficial óptima para adherir varios recubrimientos y garantiza una eliminación eficaz del material durante el procesamiento de obleas semiconductoras sin dañar la delicada superficie.

Alta dureza: el recubrimiento imparte un alto nivel de dureza al disco de grafito, que es resistente al rayado y al desgaste, lo que extiende la vida útil del disco de epitaxia recubierto de SiC y reduce la frecuencia de reemplazo en entornos de fabricación de semiconductores.

Resistencia a ácidos, bases, sales y reactivos orgánicos: El recubrimiento CVD SiC del disco Epitaxy recubierto de SiC ofrece una excelente resistencia a una amplia gama de agentes corrosivos, incluidos ácidos, bases, sales y reactivos orgánicos, lo que lo hace adecuado para su uso en entornos donde la exposición a productos químicos es una preocupación, lo que mejora la confiabilidad y longevidad del equipo.

Capa superficial de Beta-SiC: La capa superficial de SIC (carburo de silicio) del disco de epitaxia recubierto de SiC consta de beta-SiC, que tiene una estructura cristalina cúbica centrada en las caras (FCC). Esta estructura cristalina contribuye a las excepcionales propiedades mecánicas y térmicas del recubrimiento, ofreciendo resistencia y conductividad térmica superiores al disco, lo cual es esencial para los equipos de procesamiento de semiconductores.