Infineon presenta la primera oblea Power GaN de 300 mm del mundo

Recientemente, Infineon Technologies anunció el desarrollo exitoso de la primera tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de 300 mm de potencia del mundo. Esto los convierte en la primera empresa en dominar esta tecnología innovadora y lograr la producción en masa dentro de los entornos de fabricación de alta capacidad y gran escala existentes. Esta innovación marca un avance significativo en el mercado de semiconductores de potencia basados ​​en GaN.

¿Cómo se compara la tecnología de 300 mm con la tecnología de 200 mm?

En comparación con la tecnología de 200 mm, el empleo de obleas de 300 mm permite la producción de 2,3 veces más chips de GaN por oblea, lo que mejora significativamente la eficiencia y el rendimiento de la producción. Este avance no sólo consolida el liderazgo de Infineon en el campo de los sistemas de energía, sino que también acelera el rápido desarrollo de la tecnología GaN.

¿Qué dijo el director ejecutivo de Infineon sobre este logro?

Jochen Hanebeck, director ejecutivo de Infineon Technologies, afirmó: “Este notable logro demuestra nuestra sólida fortaleza en innovación y es un testimonio de los incansables esfuerzos de nuestro equipo global. Creemos firmemente que este avance tecnológico remodelará las normas de la industria y desbloqueará todo el potencial de la tecnología GaN. Casi un año después de nuestra adquisición de GaN Systems, una vez más mostramos nuestra determinación de liderar el mercado de GaN en rápido crecimiento. Como líder en sistemas de energía, Infineon ha obtenido una ventaja competitiva en tres materiales clave: silicio, carburo de silicio y GaN”.

Jochen Hanebeck, director ejecutivo de Infineon, sostiene una de las primeras obleas GaN Power de 300 mm del mundo producidas en un entorno de fabricación de alto volumen existente y escalable.

¿Por qué es ventajosa la tecnología GaN de 300 mm?

Una ventaja importante de la tecnología GaN de 300 mm es que se puede producir utilizando equipos de fabricación de silicio de 300 mm existentes, ya que el GaN y el silicio comparten similitudes en los procesos de fabricación. Esta característica permite a Infineon integrar perfectamente la tecnología GaN en sus sistemas de producción actuales, acelerando así la adopción y aplicación de la tecnología.

¿Dónde ha producido Infineon con éxito obleas GaN de 300 mm?

Actualmente, Infineon ha fabricado con éxito obleas de GaN de 300 mm en las líneas de producción de silicio de 300 mm existentes en su central eléctrica de Villach, Austria. Basándose en la base establecida de la tecnología GaN de 200 mm y la producción de silicio de 300 mm, la empresa ha ampliado aún más sus capacidades tecnológicas y de producción.

¿Qué significa este avance para el futuro?

Este avance no sólo destaca las fortalezas de Infineon en innovación y capacidades de producción a gran escala, sino que también sienta una base sólida para el desarrollo futuro de la industria de semiconductores de potencia. A medida que la tecnología GaN continúa evolucionando, Infineon seguirá impulsando el crecimiento del mercado, mejorando aún más su posición de liderazgo en la industria global de semiconductores.**