Objetivo plano de silicio monocristalino

silicio monocristalinoEl objetivo plano generalmente se procesa mediante equipos de corte de alta precisión a partir de lingotes de silicio monocristalino fabricados mediante el método Czochralski. Para satisfacer la diversificación de las necesidades de los clientes, el objetivo plano de silicio monocristalino se puede cortar en las formas deseadas para sus estimados clientes. La precisa tecnología de procesamiento de esmerilado y pulido garantiza la excelente planitud de la superficie del material objetivo, lo que proporciona una sólida garantía para la deposición de películas delgadas.

El objetivo plano de silicio monocristalino se coloca en el interior de una cámara de reacción al vacío junto con el sustrato que se va a recubrir durante el proceso de deposición de la película. Cuando el objetivo plano de silicio monocristalino es bombardeado por iones de alta energía, los átomos de silicio de su superficie se desprenden. Estos átomos de silicio pulverizados luego migran y se depositan sobre la superficie del sustrato, formando finalmente una fina película de silicio.

El objetivo plano de silicio monocristalino sirve como fuente de material para la deposición de películas delgadas. Todos los átomos de silicio depositados sobre la superficie de la oblea se originan a partir de objetivos planos de silicio monocristalino. Por lo tanto, la calidad del objetivo plano de silicio monocristalino determina directamente la pureza, uniformidad y otras propiedades clave de la película delgada depositada.

La excelente característica de pureza confiere al objetivo plano de silicio monocristalino la capacidad de evitar que las impurezas contaminen la película delgada. Esto mejora significativamente el rendimiento eléctrico de los dispositivos semiconductores. La mejora de la uniformidad y adhesión de las películas delgadas se beneficia de su estructura cristalina altamente ordenada, que permite que las partículas de pulverización migren y se depositen en la superficie de la oblea con mayor regularidad. El diseño de estructura plana es adecuado para requisitos de pulverización catódica de alta velocidad y áreas grandes, y es aplicable a escenarios de producción a gran escala, como obleas semiconductoras y paneles de visualización.